真空鍍膜鍍不上的原因,真空鍍膜機真空室沒真空鍍不上?

時間 2022-08-19 00:25:04

1樓:林凡天

那個濺射靶材一切完好,電源都是好的,這是代表什麼?代表正常工作嗎》?

還是代表它乙個螺絲沒少?講得不具體?

首先你自己了解濺射工藝嗎?如果是做這行的,基本條件就不用談了!以下兩點是必須你要具備濺射條件才有效成立,不然也是白說的.

1:濺射首先要看它起輝沒?

2:如果第一點也具備那代表它進行了濺射程式!但濺射是不是時間過短,功率過小,導致膜層太薄,你看上去以為沒有鍍!

3:還有點是比較少見的情況,陰極裝置有問題,或者是陽極偏壓裝置出現問題!

2樓:億晶對面

1、可能氧過量。

2、靶未啟輝。

3、沒抽至高真空。

3樓:偉民楊

請檢查一下氣源工作是否正常,還有實際的真空度有沒有達到!

真空鍍膜機真空室沒真空鍍不上?

4樓:傾心的小北老師

真空鍍膜機真空室沒真空鍍不上 這種情況應該是真空機有問題,先檢查一下真空機的問題

5樓:董太漂亮

你可以通過聽的和碳的方式,來確定這個漏氣的點在**?但是漏氣點大多數都是在密封圈的位置,**紅包啊?

真空鍍膜機達不到高真空怎麼回事

6樓:黑白世界丿蠬

裝置長期執行後會有新的漏點產生,裝置整體檢漏。 真空幫浦需要維護,以便保證工作指標。 由於真空室內有鍍膜的沉積物,和其他沉積。

這些沉積物,會吸附空氣中的水等物質。 在多次開關真空室後會不斷帶入汙染物---手上的油和零件上的揮發物等。在鍍膜時,揮發沉積在真空室的陰暗處。

當再次抽真空時,沉積物和它吸取的水等,緩慢揮發出來,減緩了抽真空的速度。而且工作次數越多,沉積物更多,開門次數多,吸附的水更多。如此迴圈,抽真空的速度越來越慢。

檢查膠圈等密封面。 把沉積物清理乾淨,用酒精把真空室內搽乾淨,然後抽真空,烘烤。 抽氣速度會快很多。

真空鍍膜後掉鍍層的原因是什麼

7樓:匿名使用者

1、底漆uv能量過高 2、抗油助劑(流平劑)新增過量 3、ir烘烤時間不夠等等

8樓:

中途出現異常未監控到吧!

真空鍍膜機為什麼鍍不出琥珀色,**出了問題

9樓:匿名使用者

是在玻璃上鍍嗎。我可以

10樓:匿名使用者

上圖看看你用琥珀工藝除錯出來的東西

11樓:匿名使用者

在**,可以提供有償服務

真空鍍膜什麼原因會導致脫膜

12樓:

原因多了:真空度不夠,也就是鍍膜時殘留空氣太多。基材表面不乾淨。

鍍膜太厚。如果基材要加熱的話加熱溫度不夠。如果用擴散幫浦做主幫浦的話擴散幫浦返油過高。

如果是熱蒸發鍍膜,蒸發源離開基材太遠。還有很多原因,看你具體的鍍膜方式

真空鍍膜機鍍鋁發藍、發黃、發黑各是什麼造成的?

13樓:匿名使用者

發藍,一般情況是氧化的問題(鍍過之後立刻固化了);發黑,一般情況下是過早氧化掉了;發黃,不知道你指的是不是出現褐色的問題呢?有很多種情況會引起薄膜表面出現褐色條紋,如果你指的是這個問題,我可以幫你找一下各種原因和相應的解決辦法。

還有,你提出的工件髮霧的問題,也是指的鍍鋁工件麼? 追問: 就是普通的蒸鍍,不需要任何顏色,只要工件光亮的那種,還有是在真空狀態下,發藍的原因應該是電壓過高導致鎢絲昇華造成,氧化問題基本很小,是真空鍍膜,我想問的是造成上述問題的全面且根本的原因 回答:

才疏學淺的在下所知道的情況:(有色問題)①真空度低解決方法:清潔真空室內的送鋁、蒸鍍裝置、冷卻系統、放卷、捲取裝置及導輥;檢查抽真空系統;降低環境濕度。

②薄膜釋放氣體

解決方法:薄膜預乾燥;延長抽真空時間。

③噴鋁過多解決方法:提高車速;降低蒸發舟電流;降低送鋁速度。

④蒸發舟內有雜質

解決方法:清潔蒸發舟及熱遮蔽板。

⑤蒸發舟老化

解決方法:更換蒸發舟。 補充:

以上不知道有沒有幫助。鍍鋁髮霧的問題我就不知道了,不好意思。 追問:

不好意思,我沒有說你才疏學淺的意思- -#,我意思說就像發黃的原因有:1, 真空度過低;延長抽真空時間

2, 鍍膜時有其他放氣源影響鍍膜效果,比如夾具或膠紙

3,鍍膜時間過長;噴鋁過多

4,鍍膜電流過高

5, 薄膜釋放氣體

6, 保護膜時間過長,太厚,這樣單一且全面的回答而已- -# 回答: 呵呵,我是自嘲……

真空鍍膜原理是什麼?

14樓:___耐撕

真空鍍膜原理:

1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。

2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學反應,在基體上製出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有cvd和pvd兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

15樓:張樺小錦

蒸發鍍膜

通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於2023年提出,現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜裝置結構如圖1。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後,加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。

薄膜厚度可由數百埃至數微公尺。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間(或決定於裝料量),並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜,常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。

從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.

2電子伏。

編輯本段型別

蒸發源有三種型別。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質(圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖]

)電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料;②高頻感應加熱源:用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質;③電子束加熱源:適用於蒸發溫度較高(不低於2000[618-1])的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發。

蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍製單質和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層,可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖

]。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當它被加熱到一定溫度時,爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度,沉積在基片上的分子可以徙動,按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜,薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。

通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。

編輯本段濺射鍍膜

用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面,沉積在基片上。濺射現象於2023年開始用於鍍膜技術,2023年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。常用的二極濺射裝置如圖3[ 二

極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材──靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾厘公尺。

系統抽至高真空後充入 10~1帕的氣體(通常為氬氣),在陰極和陽極間加幾千伏電壓,兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極,與靶表面原子碰撞,受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。

與蒸發鍍膜不同,濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法,即將反應氣體 (o、n、hs、ch等)加入ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。

基片裝在接地的電極上,絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地,一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後,高頻電壓不斷改變極性。

等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子,絕緣靶表面帶負電,在達到動態平衡時,靶處於負的偏置電位,從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近乙個數量級。

編輯本段離子鍍

蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面,稱為離子鍍。這種技術是d.麥托克斯於2023年提出的。

離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片臺作為陰極,外殼作陽極,充入惰性氣體(如氬)以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。

正離子被基片台負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子(約佔蒸發料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百~幾千電子伏)和氬離子對基片的濺射清洗作用,使膜層附著強度大大提高。

離子鍍工藝綜合了蒸發(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的特點,並有很好的繞射性,可為形狀複雜的工件鍍膜。

如何把真空鍍膜機的真空度抽得更快

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