1樓：蒲公英花開丶
11n60c3的引數是600v,11a,50w,,k2645引數是600v,9a,50w,一般不能代換，小功率場合可以，代換後發熱稍大。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。
主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多段攔數載流子參握臘胡與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。
具有輸入電阻高（107～1015ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍。
大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭局譁者。
2樓：森依晨
11n60電流11a，電世野壓電流11a，電壓650v。後者比前空漏者耐壓高50v，其他引數一樣，搜虧喊可互換。
20n60c場效電晶體和10n60的區別
3樓：
摘要。20n60c場效電晶體和10n60的區別你好，親，<>10n60c和20n60c的區別在於功能不同10n60c穩壓三極體實質上是乙個面結型三極體，穩壓三極體工作在反向擊穿狀態。在三極體的製造工藝上，使它有低壓擊穿特性。
穩壓三極體的反向擊穿電壓恆定，在穩壓電路中串入限流電阻，使穩壓管擊穿後電流不超過允許值，因此擊穿狀態可以長期持續並不會損壞。20n60c整流三極體在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於乙隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同乙隻斷開的開關。利用三極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路希望能幫助到您！
20n60c場效電晶體和10n60的區別你好，親，<>10n60c和20n60c的區別在於功能不同10n60c穩壓三極體實質上是乙個面結型三極體，穩壓三極體工作在反向擊穿狀態。在三極體的製造工藝上，使它有低壓擊穿特性。穩壓廳猜三極體的反向擊穿電壓恆定，在穩壓電路中串入限流電阻，使穩壓管擊穿後電流不超過允許值，因此擊穿狀態可以長如伏並期持續並不會損壞。
20n60c整流三極體在正向電渣跡壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於乙隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同乙隻斷開的開關。利用三極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路希望能幫助到您！
你好，親，<>
10n60不能代換20n60，電流小太多希望能幫助到您！
場效電晶體8n60c用12n60pc代換?
4樓：
場效電晶體8n60c用12n60pc代換？不能，因為8n60引數是電流8a，電壓600v，而12n60引數是電流12a電壓600，前者電流太小，使用容量發熱擊穿，所以不能替換。不能，因為8n60引數是電流8a，電壓600v，而12n60引數是電流12a電壓600，前者電流太小，使用容量發熱擊穿，所以不能替換。
12nj60場效管可用12n60替代嗎?
5樓：
是的，12n60場效滲稿管可以用作12nj60的替代品。兩者都是n溝道型別的場效電晶體，它們的引數較為接近，而且可以在相同的電路中使用。需要注意的是，12n60的最大漏極電壓為600v，而12nj60的最大漏極電壓為600v，因此在替換時需要確保電路的工作如喊譁電壓範圍內。
另外，12n60的最大漏極電流為12a，而12nj60的最大漏極電流為6a，這也需要渣行考慮到電路的實際使用情況。
10n60場效電晶體的管腳
6樓：
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
主機板場效電晶體代換問題，主機板場效電晶體壞了該怎麼替換
你先用萬用表測一下場管是nch還是pch的，但是基本不用測，主機板上的場管幾乎百分百nch的，所以只要是主機板上的場管你都可以直接代換的 華碩和華擎cpu電路中的場管除外，那種場管是結型管 主機板場效電晶體壞了該怎麼替換 cpu供電的場管能替換主機板上絕大多數字置的場管，這是餅哥教的。隨便找個cpu...
場效電晶體放大電路
不可以.場效電晶體允許通過的電流比電晶體要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是電晶體也要接成互補或推挽結構才能用作功放管.你也可以考慮用集成功率放大器,這個也不貴,而且效能好,電路更簡單as6787說的 可以,高極功放都是用功率場效電晶體,有電子管功放的效果功率放大常用的是igbt和vmos,ig...
場效電晶體 使用原則
mos場效電晶體 即金屬 氧化物 半導體型場效電晶體，英文縮寫為mosfet metal oxide semiconductor field effect transistor 屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻 最高可達1015 它也分n溝道...