1樓：匿名使用者
mos場效電晶體
即金屬-氧化物-半導體型場效電晶體，英文縮寫為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管，符號如圖1所示。
通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據導電方式的不同，mosfet又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：
當vgs=0時管子是呈截止狀態，加上正確的vgs後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當vgs=0時即形成溝道，加上正確的vgs時，能使多數載流子流出溝道，因而「耗盡」了載流子，使管子轉向截止。
以n溝道為例，它是在p型矽襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區n+和漏擴散區n+，再分別引出源極s和漏極d。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從p型材料（襯底）指身n型溝道。
當漏接電源正極，源極接電源負極並使vgs=0時，溝道電流（即漏極電流）id=0。隨著vgs逐漸公升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的n型溝道，當vgs大於管子的開啟電壓vtn（一般約為+2v）時，n溝道管開始導通，形成漏極電流id。
國產n溝道mosfet的典型產品有3do1、3do2、3do4（以上均為單柵管），4do1（雙柵管）。它們的管腳排列（底檢視）見圖2。
mos場效電晶體比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（u=q/c），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使g極與s極呈等電位，防止積累靜電荷。
管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，並採取相應的防靜電感措施。下面介紹檢測方法。
1．準備工作
測量之前，先把人體對地短路後，才能摸觸mosfet的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然後拆掉導線。
2．判定電極
將萬用表撥於r×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極g。交換錶筆重測量，s-d之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑錶筆接的為d極，紅錶筆接的是s極。
日本生產的3sk系列產品，s極與管殼接通，據此很容易確定s極。
3．檢查放大能力（跨導）
將g極懸空，黑錶筆接d極，紅錶筆接s極，然後用手指觸控g極，表針應有較大的偏轉。雙柵mos場效電晶體有兩個柵極g1、g2。為區分之，可用手分別觸控g1、g2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為g2極。
目前有的mosfet管在g-s極間增加了保護二極體，平時就不需要把各管腳短路了。
vmos場效電晶體
vmos場效電晶體（vmosfet）簡稱vmos管或功率場效電晶體，其全稱為v型槽mos場效電晶體。它是繼mosfet之後新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了mos場效電晶體輸入阻抗高（≥108w）、驅動電流小（左右0.
1μa左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200v）、工作電流大（1.5a～100a）、輸出功率高（1～250w）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由於它將電子管與功率電晶體之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
眾所周知，傳統的mos場效電晶體的柵極、源極和漏極大大致處於同一水平面的晶元上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。vmos管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極採用v型槽結構；第二，具有垂直導電性。
由於漏極是從晶元的背面引出，所以id不是沿晶元水平流動，而是自重摻雜n+區（源極s）出發，經過p溝道流入輕摻雜n-漂移區，最後垂直向下到達漏極d。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由於在柵極與晶元之間有二氧化矽絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型mos場效電晶體。
國內生產vmos場效電晶體的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六種vmos管的主要引數。其中，irfpc50的外型如圖3所示。
下面介紹檢測vmos管的方法。
1．判定柵極g
將萬用表撥至r×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換錶筆後仍為無窮大，則證明此腳為g極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2．判定源極s、漏極d
由圖1可見，在源-漏之間有乙個pn結，因此根據pn結正、反向電阻存在差異，可識別s極與d極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑錶筆的是s極，紅錶筆接d極。
3．測量漏-源通態電阻rds（on）
將g-s極短路，選擇萬用表的r×1檔，黑錶筆接s極，紅錶筆接d極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的rds（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表r×1檔實測乙隻irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大於0.
58w（典型值）。
4．檢查跨導
將萬用表置於r×1k（或r×100）檔，紅錶筆接s極，黑錶筆接d極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
（1）vmos管亦分n溝道管與p溝道管，但絕大多數產品屬於n溝道管。對於p溝道管，測量時應交換錶筆的位置。
（2）有少數vmos管在g-s之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
（3）目前市場上還有一種vmos管功率模組，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國ir公司生產的irft001型模組，內部有n溝道、p溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
（4）現在市售vnf系列（n溝道）產品，是美國supertex公司生產的超高頻功率場效電晶體，其最高工作頻率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小訊號低頻跨導gm=2000μs。適用於高速開關電路和廣播、通訊裝置中。
（5）使用vmos管時必須加合適的散熱器後。以vnf306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30w
場效應電晶體
場效應電晶體(fet)簡稱場效電晶體，它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109ω）、雜訊小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（jfet）因有兩個pn結而得名，絕緣柵型場效電晶體（jgfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效電晶體中，應用最為廣泛的是mos場效電晶體，簡稱mos管（即金屬-氧化物-半導體場效電晶體mosfet）；此外還有pmos、nmos和vmos功率場效電晶體，以及最近剛問世的πmos場效電晶體、vmos功率模組等。
按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和p溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效電晶體又可分成耗盡型與增強型。結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體。而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。見附圖1。
mos場效應電晶體使用注意事項。
mos場效應電晶體在使用時應注意分類，不能隨意互換。mos場效應電晶體由於輸入阻抗高（包括mos積體電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：
1. mos器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑膠袋裝。也可用細銅線把各個引腳連線在一起，或用錫紙包裝
2.取出的mos器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。
3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。
4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再mos器件焊接完成後在分開。
5. mos器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。
6.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。
7. mos場效應電晶體的柵極在允許條件下，最好接入保護二極體。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極體是否損壞。
場效電晶體的測試。
下面以常用的3dj型n溝道結型場效電晶體為例解釋其測試方法：
3dj型結型場效電晶體可看作乙隻npn型的晶體三極體，柵極g對應基極b，漏極d對應集電極c，源極s對應發射極e。所以只要像測量晶體三極體那樣測pn結的正、反向電阻既可。把萬用表撥在r*100擋用黑錶筆接場效電晶體其中乙個電極，紅錶筆分別接另外兩極，當出現兩次低電阻時，黑錶筆接的就是場效電晶體的柵極。
紅錶筆接的就是漏極或源極。對結型場效電晶體而言，漏極和源極可以互換。對於有4個管腳的結型場效電晶體，另外一極是遮蔽極（使用中接地）。
目前常用的結型場效電晶體和mos型絕緣柵場效電晶體的管腳順序如圖2所示。
場效應電晶體的好壞的判斷。
先用mf10型萬用表r*100kω擋（內建有15v電池），把負錶筆（黑）接柵極（g），正錶筆（紅）接源極（s）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指標有輕微偏轉。再該用萬用表r*1ω擋，將負錶筆接漏極（d），正錶筆接源極（s），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效電晶體是好的。
2樓：hi漫海
場效電晶體 使用原則：根據場效電晶體相應的一些引數，首先是一些硬性指標，例如ds耐壓，和ds所能承受的最大電流，gs耐壓。其次考慮rds，頻率，開通關斷時間等引數。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
主機板場效電晶體代換問題，主機板場效電晶體壞了該怎麼替換
你先用萬用表測一下場管是nch還是pch的，但是基本不用測，主機板上的場管幾乎百分百nch的，所以只要是主機板上的場管你都可以直接代換的 華碩和華擎cpu電路中的場管除外，那種場管是結型管 主機板場效電晶體壞了該怎麼替換 cpu供電的場管能替換主機板上絕大多數字置的場管，這是餅哥教的。隨便找個cpu...
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blackpink 羅捷 就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs 0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極 源極間所加v...