一般用什麼溝道的場效電晶體做開關管

時間 2021-08-11 15:52:53

1樓:淚海潰堤

n-mosfet,p溝道的mos,電子遷移率大概只有n溝道的1/3。

故而常用n溝道。

開關電源是利用現代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈衝寬度調製(pwm)控制ic和mosfet構成。隨著電力電子技術的發展和創新,使得開關電源技術也在不斷地創新。目前,開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子裝置,是當今電子資訊產業飛速發展不可缺少的一種電源方式。

隨著電力電子技術的高速發展,電力電子裝置與人們的工作、生活的關係日益密切,而電子裝置都離不開可靠的電源,進入80年代計算機電源全面實現了開關電源化,率先完成計算機的電源換代,進入90年代開關電源相繼進入各種電子、電器裝置領域,程控交換機、通訊、電子檢測裝置電源、控制裝置電源等都已廣泛地使用了開關電源,更促進了開關電源技術的迅速發展。

2樓:

n溝道,應用和npn三極體類似。你很少看見用p溝道mos管做開關電源的,就像pnp不常用一樣。

如下圖是什麼溝道的場效電晶體?請問開關電源為何選用其作為開關管而不選用一般三極體的原因?

3樓:gx韋

用於電源的場效電晶體,幾乎都是用這種mos(絕緣柵極場效電晶體),三極體也可以做開關管,並不是所有的開關電源都是用這種管的。

對於三極體,首先是開關頻率場效電晶體可以做到50k--500k或更高,三極體最高40k,頻率提高了,功率密度也提高,這樣同樣的變壓器mos管做到三極體的數倍功率輸出。

然後mos管是電壓驅動器件,三極體是電流驅動器件,同樣的功率前者的驅動電路要比後者更容易。

當然**管也有耐壓高的優勢,所以就有了mos管和三極體結合的產品,耐壓高驅動容易------igbt電磁爐裡的功率管,單端就可以上2kw的功率。

4樓:

n溝道的mos管,開關電源選mos管和三極體做開關都可以,有些公司為了省成本就是用三極體,mos管的內阻小損耗小一些,而且質量上面有保障一些

5樓:籍峰

n溝道mos

三極體與mos都可以做開關電源。

大功率的時候,mos的損耗比三極體的小

p溝道mos管開關電路

6樓:瀛洲煙雨

p溝道mos管開關電路圖:

mos管的工作原理(以n溝道增強型mos場效電晶體)它是利用內vgs來控制“感應電荷”的多少,以改容變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交介面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質的n區接通,形成了導電溝道,即使在vgs=0時也有較大的漏極電流id。當柵極電壓改變時,溝道內被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。

7樓:匿名使用者

1,如果是

控制led通斷,可以抄選擇n mos管,把5v--電阻--led--nmos d---nmoss對地,g為控制腳in7002,此方法比較簡單,而且in7002是非常常用的管子,很便宜。

2,另外p mosfet例如 ao4437,ao4435都可以

場效電晶體如何做開關使用,硬體如何連,微控制器如何控制?

8樓:匿名使用者

如果只是要控制12v繼電器開合,是不是太浪費了呢,一個irf640要3塊錢左右,用一個三極體不是很好吧,如果要驅動irf640還得用到光耦,成本太大,如果要用的話圖上的就可以,光耦那裡是4路的,你選一路就行了 ,p1.0給出一個低電平到pc817的2腳《圖可看出》即可

9樓:渢

你去查查irf640的驅動方法吧。

這兩顆引數類似,irf640n是irf640的改進型,導通電阻要小一些

這顆mos驅動vgs電壓至少超過10v以上拿3.3v電壓肯定控制不了的。

加一級三極體或者光偶把控制電平提升到12v試試

場效電晶體幹什麼用的,場效電晶體工作原理是什麼?

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1,三極體頻率做不高 現在的開關電源頻率普遍50k以上 2,三極體導通損耗要大於mos管。其他的我也不知道了。 籍峰 mos是電壓驅動,導通壓降低,頻率高,損耗比三極體小。 三極體是電流控制器件,場效電晶體是電壓控制器件,三極體有消耗,大多數用於訊號放大電路,場效電晶體驅動無消耗 戎楊氏彭癸 普通晶...

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主要用途為dc to dc,簡單點說就是轉電源,比如把12v轉為1.2v這樣。不排除控制線路上有小型的mos管,測量方法主要是通電時檢查d極和s極壓降,很小可判斷正常,很大則損壞。1 場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p n結,在零偏壓的狀態下,它是導通的,如果在其柵極 g 和源極 s 之間加...