關於二極體的PN結幾個問題,在二極體中有幾個PN結

時間 2022-03-06 01:40:11

1樓:匿名使用者

pn結的形成與單向導電性 幾乎所有的半導體器件都是由不同數量和結構的pn結構成的, 因此, 我們先來了解pn結的結構與特點。 1. pn結的形成 在一塊本徵半導體上通過某種摻雜工藝, 使其形成n型區和p型區兩部分後, 在它們的交界處就形成了乙個特殊薄層, 這就是pn結。 1) 多子的擴散運動建立內電場 如圖1-8(a)所示, �和� 分別代表p區和n區的受主和施主離子(為了簡便起見, 矽原子未畫出), 由於 p區的多子是空穴, n區的多子是自由電子, 因此在p區和n區的交界處自由電子和空穴都要從高濃度處向低濃度處擴散。

這種載流子在濃度差作用下的定向運動, 叫做擴散運動。 多子擴散到對方區域後, 使對方區域的多子因復合而耗盡, 所以p區和n區的交界處就僅剩下了不能移動的帶電施主和受主離子, n區形成正離子區, p區形成負離子區, 形成了乙個電場方向從n區指向p區的空間電荷區, 這個電場稱為內建電場, 簡稱內電場, 如圖1-8(b)所示。 在這個區域內, 多子已擴散到對方因復合而消耗殆盡, 所以又稱耗盡層。

在耗盡層以外的區域仍呈電中性。 2) 內電場阻礙多子擴散、 幫助少子漂移運動, 形成平衡pn結由於內電場的方向是從n區指向p區, 因此這個內電場的方向對多子產生的電場力正好與其擴散方向相反, 對多子的擴散起了乙個阻礙的作用, 使多子擴散運動逐漸減弱。 內電場對p區和n區的少子同樣產生了電場力的作用。

由於p區的少子是自由電子, n區的少子是空穴, 因此內電場對少子的運動起到了加速的作用。 這種少數載流子在電場力作用下的定向移動, 稱為漂移運動, 如圖1-8(b)所示。 2. pn結的單向導電特性 未加外部電壓時, pn結內無巨集觀電流, 只有外加電壓時, pn結才顯示出單向導電性。

1) 外加正偏電壓時pn結導通 將pn結的p區接較高電位(比如電源的正極), n區接較低電位(比如電源的負極), 稱為給pn結加正向偏置電壓, 簡稱正偏, 如圖1-9所示。 pn結正偏時, 外加電場使pn結的平衡狀態被打破, 由於外電場與pn結的內電場方向相反, 內電場被削弱, 擴散增強, 漂移幾乎減弱為0, 因此, pn結中形成了以擴散電流為主的正向電流if。 因為多子數量較多, 所以if較大。

為了防止較大的if將pn結燒壞, 應串接限流電阻r。 擴散電流隨外加電壓的增加而增加, 當外加電壓增加到一定值後, 擴散電流隨正偏電壓的增大而呈指數上公升。 由於pn結對正向偏置呈現較小的電阻(理想狀態下可以看成是短路情況), 因此稱之為正偏導通狀態。

2) 外加反偏電壓時pn結截止 將pn結的p區接較低電位(比如電源的負極), n區接較高電位(比如電源的正極), 稱為給pn結加反向偏置電壓, 簡稱反偏, 如圖1-10所示。 pn結反偏時, 外加電場方向與內電場方向相同, 內電場增強, 使多子擴散減弱到幾乎為零。 而漂移運動在內電場的作用下, 有所增強, 在pn結電路中形成了少子漂移電流。

漂移電流和正向電流的方向相反, 稱為反向電流ir。

2樓:匿名使用者

你今我空間裡面有資料

在二極體中有幾個pn結 10

3樓:泰和數控

一般是乙個二極體中有1個pn結。

但雙向二極體裡有2個pn結。但實質還是1個,因為它有3根引出線,實質是2個二極體。

4樓:匿名使用者

乙個兩腳的二極體一般都是乙個pn結,也可以做成兩個,正反向併聯,等效為兩個二極體。

5樓:鍾承曦

首先要搞清什麼是二極體,有兩個極的電晶體叫晶體二極體(簡稱二極體),乙個是a、另乙個是k。分別與p區和n區相聯,加正向電壓pn結變薄,加反向電壓pn結變厚。它只有乙個pn結,否則就不叫二極體。

6樓:遼南總兵

發射結與基極構成pn,電晶體另乙個pn極由基極與集電極與基極

7樓:匿名使用者

pn結中的阻擋層是指的p型半導體和n型半導體結合時,多子自然擴散形成的反向電場區,和空間電荷沒有關係。

在pn結施加反向電壓,會加強結內的反向電場,只能有很小的反向電流。當反向電流達到一定數值時,就不能再增加電壓了,否則就會突然增大而造成擊穿破壞。這個接近擊穿的反向電流,被稱為反向飽和電流。

二極體是由pn結構成的,因為正向要克服反向電場才能夠實現導通,所以有門檻電壓。

明明pn結有小電壓就會有電流啊,沒錯呀。但是,要電流快速增加,實現導通,就必須讓電壓超過門檻。

這個小電壓不論正向電壓是多少,二極體管壓降不變?其實,二極體的電流還是會隨著電壓的增加而增加的,只不過二極體導通之後,很小的電壓增加,就會導致很大的電流增加。這一點,被稱為電流飽和。

穩壓二極體有幾個pn結?

8樓:入江

穩壓二極體pn結的個數是( )個。

a、1b、2

c、3d、4

9樓:匿名使用者

穩壓二極體有乙個pn結。pn結具有反向特性,如果pn反向接入電路,當電流超過閾值,就會發生擊穿現象,擊穿現象有兩種,雪崩擊穿和齊納擊穿。整流二極體被擊穿之後導致內部電子和空穴結構遭到破壞,一般無法恢復,因此不能再次使用。

但是穩壓二極體儘管在pn結被擊穿後,它的反向電流急劇增大,但是pn結兩端的電壓仍然位置不變,只要限制反向電流,pn結就不會被燒壞,也就可以繼續使用。

關於pn結和二極體

10樓:匿名使用者

pn結中的阻擋層是指的p型半導體和n型半導體結合時,多子自然擴散形成的反向電場區,和空間電荷沒有關係。

在pn結施加反向電壓,會加強結內的反向電場,只能有很小的反向電流。當反向電流達到一定數值時,就不能再增加電壓了,否則就會突然增大而造成擊穿破壞。這個接近擊穿的反向電流,被稱為反向飽和電流。

二極體是由pn結構成的,因為正向要克服反向電場才能夠實現導通,所以有門檻電壓。

明明pn結有小電壓就會有電流啊,沒錯呀。但是,要電流快速增加,實現導通,就必須讓電壓超過門檻。

這個小電壓不論正向電壓是多少,二極體管壓降不變?其實,二極體的電流還是會隨著電壓的增加而增加的,只不過二極體導通之後,很小的電壓增加,就會導致很大的電流增加。這一點,被稱為電流飽和。

11樓:教育解答蘭兒老師

回答您好,下面由我為您解決您的疑慮,希望可以幫助到您。

二極體pn結:採用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)基片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結。

pn結具有單向導電性,是電子技術中許多器件所利用的特性,例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。

從pn結的形成原理可以看出,要想讓pn結導通形成電流,必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然,給它加乙個反方向的更大的電場,即p區接外加電源的正極,n區結負極,就可以抵消其內部自建電場,使載流子可以繼續運動,從而形成線性的正向電流。而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大,pn結不能導通,僅有極微弱的反向電流(由少數載流子的漂移運動形成,因少子數量有限,電流飽和)。

當反向電壓增大至某一數值時,因少子的數量和能量都增大,會碰撞破壞內部的共價鍵,使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來,不斷增大電流,最終pn結將被擊穿(變為導體)損壞,反向電流急劇增大。

真心希望我的回答可以幫助到您,願您天天快樂!

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關於二極體中pn結工作原理的兩個困惑

12樓:青川小舟

1、矽為半導體的主體材料,其原子最外層是四個電子。滲入少量磷後,由於周圍的矽只需要四個外來電子與其組成共價鍵,所以就餘出乙個自由電子。

2、乙隻二極體沒有接入電路前當然視為開路狀態。

3、「開路中半導體中的離子不能任意移動」的說法確實值得商榷。其實固體中的離子主體無論開路閉路都不能移動,但摻雜半導體中的電子和摻雜半導體離子中的空穴在封閉電路中卻能在電壓的作用下定向移動,而摻雜半導體中的電子和摻雜半導體離子中的空穴在開路條件下卻會隨機地一刻不停地左突右撞,巨集觀統計上看相當於沒動。在閉合電路中,當存在電壓作用時,摻雜半導體離子中的空穴會向電壓降低的方向移動,而摻雜半導體中的電子則向相反的方向移動。

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