1樓：匿名使用者
記憶體也是計算機系統裡的重要配件，它的數量多少，***壞直接影響著整個系統的效能以及穩定性。今天，我就把關於記憶體的幾個主要引數給大家介紹一下，希望在大家購買和使用記憶體的時候能夠從中得到幫助。
記憶體也是計算機系統裡的重要配件，它的數量多少，***壞直接影響著整個系統的效能以及穩定性。今天，我就把關於記憶體的幾個主要引數給大家介紹一下，希望在大家購買和使用記憶體的時候能夠從中得到幫助。
同步動態隨機儲存器（synchronous dram，sdram）：是目前主推的pc 100和pc 133規範所廣泛使用的記憶體型別，它的頻寬為64位，3.3v電壓，目前產品的最高速度可達5ns。
它與cpu使用相同的時脈頻率進行資料交換，它的工作頻率是與cpu的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡稱ddr，由於它在時鐘觸發沿的上、下沿都能進行資料傳輸，所以即使在133mhz的匯流排頻率下的頻寬也能達到2.128gb/s。
ddr不支援3.3v電壓的lvttl，而是支援2.5v的sstl2標準。
它仍然可以沿用現有sdram的生產體系，製造成本比sdram略高一些，但仍要遠小於rambus的**，因為製造普通sdram的裝置只需稍作改進就能進行ddr記憶體的生產，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的記憶體發展的一個方向。
介面動態隨機儲存器（direct rambus dram, drdram）：是intel所推崇的未來記憶體的發展方向，它將risc（精簡指令集）引入其中，依靠高時脈頻率來簡化每個時鐘週期的資料量。它具有相對sdram較高的工作頻率（不低於300mhz），但其資料通道介面頻寬較低，只有16位，當工作時鐘為300mhz時，rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸資料，因此它的資料傳輸率能達到300×16×2/8=1.
2gb/s，若是兩個通道，就是2.4gb/s。它與傳統dram的區別在於引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。
其引腳數僅為普通dram的三分之一。
虛擬通道儲存器（virtual channel memory, vcm），是目前大多數最新的主機板晶片組都支援的一種記憶體標準，vcm是由nec公司開發的一種的“緩衝式dram”，該技術將在大容量sdram中採用。它整合了所謂的“通道緩衝”，由高速暫存器進行配置和控制。在實現高速資料傳輸的同時，vcm還維持著與傳統sdram的高度相容性，所以通常也把vcm記憶體稱為vcm sdram。
vcm與sdram的差別在於不管資料是否經過cpu處理都可以先行交於vcm進行處理，而普通的sdram就只能處理經cpu處理以後的資料，這就是為什麼vcm要比sdram處理資料的速度快20%以上的原因。
cl（cas latency）：為cas的延遲時間，這是縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支援不同規範的記憶體的重要標誌之一。比如現在大多數的sdram（在外頻為100mhz時）都能執行在cas latency = 2或3的模式下，也就是說，這時它們讀取資料的延遲時間可以是2個時鐘週期或3個時鐘週期。
tck（tclk）：為系統時鐘週期，它代表sdram所能執行的最大頻率。數字越**明sdram晶片所能執行的頻率就越高。
對於一片普通的pc 100 sdram來說，它晶片上的標識“-10”代表了它的執行時鐘週期為10ns，即可以在100mhz的外頻下正常工作。
tac（access time from clk）：是最大cas延遲時的最大數輸入時鐘，pc 100規範要求在cl=3時tac不大於6ns。某些記憶體編號的位數表示的是這個值。
目前大多數sdram晶片的存取時間為5、6、7、8或10ns。
對於pc 100記憶體來說，要求當cl=3的時候，tck的數值要小於10ns、tac要小於6ns。關於總延遲時間的計算一般用這個公式: 總延遲時間=系統時鐘週期×cl模式數+存取時間（tac），比如某pc 100記憶體的存取時間為6ns，我們設定cl模式數為2（即cas latency=2），則總延遲時間=10ns×2+ 6ns= 26ns，這就是評價記憶體效能高低的重要數值。
如果pc 100、pc 133記憶體只使用在66mhz或100mhz匯流排下，應該將cas latency的數值設為2，這樣記憶體無疑會有更好的效能
2樓：匿名使用者
ddr是德意志民主共和國的德文縮寫
3樓：匿名使用者
ddr的有一個孔
sdr的有兩個孔
sdram與ddr sdram有什麼區別？
4樓：
1.效能差別
（2）ddr使用了dll(delay locked loop，延時鎖定迴路提供一個資料濾波訊號)技術，當資料有效時，儲存控制器可使用這個資料濾波訊號來精確定位資料，每16次輸出一次，並重新同步來自不同儲存器模組的資料。
（3）ddr本質上不需要提高時脈頻率就能加倍提高sdram的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出資料，因而其速度是標準sdram的兩倍。
2.外部差別
（1）從 外形體積上ddr與sdram相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和針腳距離。標準的ddr記憶體條是184引腳線 dimm(雙面引腳記憶體條)。它很像標準的168引腳線 sdram dimm，只是用了一個凹槽而不是sd上的兩個凹槽。
（2）元件的長度也是5.25英寸，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等訊號。
（3）ddr記憶體採用的是支援2.5v電壓的sstl2標準，而不是sdram使用的3.3v電壓的lvttl標準。
擴充套件資料
演變（1）sdram從發展到現在已經經歷了五代，分別是：第一代sdr sdram，第二代ddr sdram，第三代ddr2 sdram，***ddr3 sdram，第五代ddr4 sdram。
（2）第一代sdram採用單端（single-ended）時鐘訊號,第二代、第三代與***由於工作頻率比較快，所以採用可降低干擾的差分時鐘訊號作為同步時鐘。
（3）sdr sdram的時脈頻率就是資料儲存的頻率，第一代記憶體用時脈頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘訊號為100或133mhz，資料讀寫速率也為100或133mhz。
（4）之後的第二，三，四代ddr（double data rate）記憶體則採用資料讀寫速率作為命名標準，並且在前面加上表示其ddr代數的符號，pc-即ddr，pc2=ddr2，pc3=ddr3。如pc2700是ddr333，其工作頻率是333/2=166mhz，2700表示頻寬為2.7g。
（5）ddr的讀寫頻率從ddr200到ddr400，ddr2從ddr2-400到ddr2-800，ddr3從ddr3-800到ddr3-1600。
5樓：匿名使用者
告訴你簡單點的吧，。。 sdr=sdram 前幾年的記憶體`~特點是金手指那裡有兩個槽口， ddr的速度比sdr快將近一半！！ 特點是金手指那裡有一個槽口，最近流行！
~便宜比以前的記憶體更快~~~ ddr2也出來了！~
要搞懂具體的你就看這下面咯~~
sdr和ddr有什麼區別
傳統的sdr sdram只能在訊號的上升沿進行資料傳輸，而ddr sdram卻可以在訊號的上升沿和下降沿都進行資料傳輸，所以ddr記憶體在每個時鐘週期都可以完成兩倍於sdram的資料傳輸量，這也是ddr的意義——double data rate，雙倍資料速率。舉例來說，ddr266標準的ddr sdram能提供2.1gb/s的記憶體頻寬，而傳統的pc133 sdram卻只能提供1.
06gb/s的記憶體頻寬。
一般的記憶體條會註明cl值，此數值越低表明記憶體的資料讀取週期越短，效能也就越好，ddr sdram的cl常見值一般為2和2.5兩種。
ddrddr是雙倍資料速率(double data rate)。ddr與普通同步動態隨機儲存器（dram）非常相象。普通同步dram（現在被稱為sdr）與標準dram有所不同。
標準的dram接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（ras）鎖存在dram晶片。
緊隨ras命令之後，列地址選通（cas）鎖存第二地址字。經過ras和cas，儲存的資料可以被讀取。
同步動態隨機儲存器（sdr dram)由一個標準dram和時鐘組成，ras、cas、資料有效均在時鐘脈衝的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以**資料和剩餘指令的位置。因而，資料鎖存選通可以精確定位。
由於資料有效視窗的可預計性，所以可將儲存器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈衝串模式，可進行連續地址獲取而不必重複ras選通。連續cas選通可對來自相同源的資料進行再現。
ddr儲存器與sdr儲存器工作原理基本相同，只不過ddr在時鐘脈衝的上升和下降沿均讀取資料。新一代ddr儲存器的工作頻率和資料速率分別為200mhz和266mhz，與此對應的時脈頻率為100mhz和133mhz。
sdrdram是動態儲存器(dynamic ram)的縮寫sdram是英文synchronousdram的縮寫，譯成中文就是同步動態儲存器的意思。從技術角度上講，同步動態儲存器(sdram)是在現有的標準動態儲存器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。使用sdram不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。
在功能上，它類似常規的dram，且也需時鐘進行重新整理。可以說，sdram是一種改善了結構的增強型dram。目前的sdram有10ns和8ns。
6樓：
sdram:synchronous dynamic random access memory,同步動態隨機存取儲存器，同步是指memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定地址進行資料讀寫。
ddr sdram是double data rate sdram的縮寫
sdram在一個時鐘週期內只傳輸一次資料，它是在時鐘的上升期進行資料傳輸；
而ddr記憶體則是一個時鐘週期內傳輸兩次次資料，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料，因此稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。ddr記憶體可以在與sdram相同的匯流排頻率下達到更高的資料傳輸率。
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