1樓：休聽南戲真
ddr是雙倍資料速率(double
data
rate)。ddr與普通同步動態隨機儲存器（dram）非常相象。普通同步dram（現在被稱為sdr）與標準dram有所不同。
標準的dram接收的位址命令由二個位址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一位址字由原始位址選通（ras）鎖存在dram晶元。
緊隨ras命令之後，列位址選通（cas）鎖存第二位址字。經過ras和cas，儲存的資料可以被讀取。
同步動態隨機儲存器（sdr
dram)由乙個標準dram和時鐘組成，ras、cas、資料有效均在時鐘脈衝的上公升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以**資料和剩餘指令的位置。因而，資料鎖存選通可以精確定位。
由於資料有效視窗的可預計性，所以可將儲存器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈衝串模式，可進行連續位址獲取而不必重複ras選通。連續cas選通可對來自相同源的資料進行再現。
ddrⅱ記憶體中，依然是在時鐘上沿和下沿觸發傳輸的。而非一些**所說的上下沿各兩次傳輸資料。而ddrⅱ記憶體和ddr記憶體的最大差異之處在於ddrⅱ記憶體內部為4bit預取。
所謂的4bit預取事實上是指記憶體晶元能夠在1個週期內提供4倍的傳輸速度。而之前的ddr記憶體採用的則是2bit預取。
因為4bit預取的應用，使得ddrⅱ記憶體的內部工作頻率只有i/o觸發頻率的一半，這樣一來ddrⅱ533mhz的內部工作頻率變成了266mhz，所以ddrⅱ記憶體能夠輕易地實現等效於667mhz甚至800mhz的傳輸率。
ddr3記憶體已經有了，速度兩倍於ddrⅱ，目前主要用於對速度要求較高的顯示卡上，用來作視訊記憶體。
2樓：匿名使用者
現在在用的型號上，效能上區別不大。就是ddr4是最新的記憶體。頻率公升級空間更大。
功耗也更低。屬於最新的產品。ddr3已經淘汰了。
就好比當年剛出ddr3時，討論ddr2 ddr3效能差多少。
3樓：
為了適應若干低收入人群，很多主機板廠商出產支援ddr3的主機板，很快英特爾就發話說（網路文章），使用skylake處理器，搭載ddr3記憶體的，將損壞cpu！早在skylake處理器剛剛發布的時候，就有文章說，skylake處理器支援ddr3l和ddr4記憶體，從來沒有說支援ddr3記憶體，ddr3與ddr4記憶體的電壓和工藝有差距！
4樓：咱們不濫情倚
ddr4當然比ddr3要好啊。畢竟新一代ddr4記憶體效能有了大幅度提公升，記憶體頻率提公升可達4266mhz，容量提公升可達128gb，ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v甚至更低，最關鍵是**差不多。
同樣**當然選擇效能更好的了。
當然，選擇ddr4的首要條件是你的主機板支援，因為ddr4的插槽介面與之前的介面有所不同，所以ddr4是不與ddr3相容的。
ddr3和ddr4記憶體條有什麼區別？
5樓：匿名使用者
ddr4是什麼意思？
ddr，英文全稱為：dual data rate，是一種雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說，ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，其中，sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫，即同步動態隨機訪問儲存器，而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。
簡單來說，ddr4就是第二代記憶體的意思，目前不少智慧型手機與電腦都用上了新一代ddr4記憶體，它屬於我們熟知的ddr3記憶體的下一代版本，帶來了更低的功耗與更出色的效能。
經歷了ddr1、ddr2、ddr3記憶體，新一代ddr4記憶體也逐漸開始變得流行，無論是pc還是智慧型手機，如今ddr4記憶體可以說早已悄然流行。
ddr4和ddr3記憶體區別
雖然新一代電腦/智慧型手機用上了ddr4記憶體，但以往的產品大多還是用的ddr3記憶體，因此ddr3依舊是主流，ddr4今後將逐漸取代ddr3，成為新的主流，下面我們再來看看ddr4和ddr3記憶體都有哪些區別。
相比上一代ddr3，新一代ddr4記憶體主要有以下幾項核心改變：
1.外觀改變
ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀，這意味著，ddr4記憶體不再相容ddr3，老平台電腦無法公升級ddr4記憶體，除非將cpu和主機板都更換為新平台。
2.ddr4記憶體頻率與頻寬提公升明顯
頻率方面，ddr3記憶體起始頻率為800，最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133，量產產品最高頻率達到了3000，從記憶體頻率來看，ddr4相比ddr3提公升很大。
頻寬方面，ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70%。
綜合來看，ddr4記憶體效能最大幅度可比ddr3提公升高達70%，甚至更高。
3.ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb
上一代ddr3記憶體，最大單挑容量為64gb，實際能買到的基本是16gb/32gb，而新一代ddr4記憶體，單條容量最大可以達到128gb，媲美ssd了。
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
上一代ddr3記憶體，採用1.5v標準電壓，而ddr4記憶體則降低為1.2v，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省電，並且可以減少記憶體的發熱。
6樓：匿名使用者
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體公升級換代時，必
須支援的就是處理器。haswell-e平台的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援
2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8
核，另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難
以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證
ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每乙個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
另外就是其它引數的改變，比如容量和電壓。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之
多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶元512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方
面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更
記憶體條ddr4和ddr3有什麼區別？
7樓：海天諾
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體公升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平台的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這究竟是為什麼呢？一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每乙個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
ddr4與ddr3記憶體差異四：容量和電壓
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶元512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.
5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
記憶體條ddr3和ddr4區別是什麼？
8樓：
ddr3和ddr4的區別：
1、外觀：ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，每乙個觸點間距只有0.85mm(ddr3記憶體金手指觸點是240個，間距1mm)。
因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
ddr4 模組上的卡槽與 ddr3 模組卡槽的位置也不同。兩者的卡槽都位於插入側，但 ddr4 卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不相容的主機板或平台中。
2、記憶體頻率：頻率方面，ddr3記憶體最高頻率只能達到了2133。ddr4記憶體的起始頻率就已經達到了2133，產品的最高頻率達到了3000，從記憶體頻率來看，ddr4相比ddr3提公升很大。
3、記憶體容量：ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb，上一代ddr3記憶體，最大單條容量為64gb，實際市面上能買到的基本是16gb/32gb，而新一代ddr4記憶體，單條容量最大可以達到128gb，媲美ssd了。
4、功耗：ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低，上一代ddr3記憶體，採用1.
5v標準電壓，而ddr4記憶體則降低為1.2v，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省電，並且可以減少記憶體的發熱。
5、主機板相容：能相容ddr4的只有intel六代cpu對應的100系列主機板和amd新出的支援am4介面的主機板。而ddr3則幾乎支援市面上能夠買來的所有主機板。
ddr3和ddr4記憶體條有什麼區別
魏旎貝炫 ddr4與ddr3記憶體差異一 處理器 每次記憶體公升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell e平台的記憶體同ivb e snb e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。haswell e作...
ddr4的記憶體條愛ddr3強多少
怪獸別跑 ddr3和dd4記憶體效能能過魯大師和3dmark11的測試得出差距幾乎為零。原因請看下圖 用i5 6500處理器，一台機器用ddr3 1866記憶體 實際發揮ddr3 1600 c1 10的效能 另外一台用ddr4 2133記憶體，整機效能幾乎一樣。ddr4的延遲值較大，而ddr3延遲值...
DDR4與DDR3有什麼區別，記憶體條 DDR3和DDR4是什麼？有什麼不一樣？
atm半夏熒光 ddr3和ddr4的區別如下 一 外觀不一樣 一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，而且每一個觸點間距只有0.85mm，ddr3記憶體金手指觸點是240個，因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在 的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。...