儲存器的行位址和列位址是什麼意思

時間 2022-07-22 00:25:10

1樓:森林格格

【補充】

儲存器的行結構:

儲存器的列結構:

2樓:匿名使用者

在記憶體的定址中,鎖定資料位址需要提供行位址和列位址,行位址的選通由ras控制,列位址的選通由cas決定。

3樓:匿名使用者

按照位元組編址,每個記憶體單元的位址,不稱為實體地址而是線性位址,線性位址通過cpu記憶體管理單元(mmu)來進行轉換

32位cpu位址線擁有32根,定址能力達到4gb,而p4處理器的位址線則擁有35根,可以定址更大的空間。但是實際記憶體達不到cpu的定址空間大小,此時cpu的mmu就需要對線性位址進行向實體地址的轉化,此時線性位址就和實體地址不一樣了。

決定乙個記憶體單元的實體地址時需要根據當前的記憶體管理方式進行計算,首先根據虛擬位址計算得到線性位址,然後根據分頁機制是否開啟,如果沒有使用分頁機制,線性位址就是實體地址,如果開啟分頁機制則根據頁目錄和頁表項來計算得實體地址。

按照x86 32位處理器,虛擬位址就是程式中所使用的邏輯位址,虛擬位址計算如下:

首先通過查段選擇子暫存器(16位模式下成為段基址暫存器,比如讀取資料用ds暫存器)中選擇子的第2位,0則從全域性描述符表(gdt,global descriptor table)1則從區域性描述符表(ldt local descriptor table)。全域性描述符從gdtr暫存器找到描述符表的物理基位址(後稱簡稱為gdtba,gdt base address),然後gdtba + ds & 0xfff8得到的位址就是該選擇子指向的描述符,然後根據描述符中記錄的段基址 + 偏移(可以是指令中的位址碼,也可是si,di中的數值)就得到了線性位址(linear address),而區域性則有些不同,因為ldtr中放的不是區域性描述符表的物理基位址,而是在全域性描述符表的乙個描述符選擇子。首先會計算ldt的物理基位址,方法同上,然後再計算描述符位址,最後計算成linear address.

如果沒開啟分頁,這個就可以是實體地址了。如果開啟分頁機制,還要做linear address 到實體地址的轉化(physical address)。

線性位址是32位,高十位是頁目錄項索引,中間十位是頁表項索引,最後12位是頁內偏移,當然這是在選用4kb小頁的情況,大頁是4mb,則後22位都是頁內偏移。頁目錄物理基位址存放在cr3中,共有1024項,因此用線性位址高10位作索引,找到相應的頁目錄項。在小頁模式中,該項儲存的是頁表的高20位位址,因為頁表只有4kb,所以低12位不需要。

通過線性位址中間十位作頁表項索引和頁表基址進行計算得到頁表項,該項中儲存的物理頁面的基址,基址加上線性位址低12位頁內偏移,就得到了實體地址。在大頁模式中,就省去了查頁表這一步驟。

dram和sram中提到的行列位址復用以及行列獨立是什麼意思啊?急求解釋 通俗易懂的最好,謝謝,**等

4樓:匿名使用者

行列位址復用:比如你的儲存器容量是16bit,那麼可以將這16個位元組織成乙個4*4的矩陣,為了找到某個你想要找的bit,比如第1行第2列的那個bit。你先傳送二進位制的01,表示要找的資料在第1行;接著傳送二進位制的10,表示要找的資料在第2列。

這樣一來你就找到了第1行第2列的那個bit。可以發現只要兩根位址線就能尋找16個bit了,但是要傳送兩次位址(一次行位址,一次列位址)‍

行列獨立:同樣的16bit儲存器,這16個bit不是組織成乙個矩陣,而是乙個陣列,標號0~15,所以需要四根位址線來尋找,譬如要找第12個bit,你傳送位址線訊號1100就能找到。可以發現行列獨立的位址線數量比行列位址復用要多,但是位址資料只要一次就能傳輸完成。

dram一般使用行列位址復用技術,而sram一般使用行列獨立技術。

5樓:

位址線分時復用

獨立就是不復用的意思了

儲存容量和位址線、資料線的關係是什麼?

6樓:五個爪子抓媽拐

3全部1、儲存器

ⅰ   flash rom:  sst39vf1601

資料位寬為16位(16根資料線);20根位址線;2m(1m*16bit)。

ⅱ   sdram:  hy57v641620hg

資料位寬為16位(16根資料線);12根位址線(行位址選擇線有12根,列位址選擇線有8根(12根的低8根)),2根bank選擇線,總共有22根有效位址線;8m(4bank*1m*16bit)。

2、cpu編址:以位元組(8bit)為單位

8k*12bit的儲存器中的12就是儲存器的位寬,指每個儲存器位址下資料的位數。

這個12與位址線的多少無關,8k就是指有8k個不同的位址8k=8*1024=2^?   2的多少次方等於8*1024就有多少根位址線,8=2^3,  1024=2^10, 那麼8k=2^13 ,儲存器位址線就為13根。

3、儲存容量計量單位的換算

1m(mb,mbyte)=2^10k(kb,kbyte)=2^20b(byte);

1mb(mbit)=2^10kb(kbit)=2^20b(bit);

1字(word)=2半字(half word)=4位元組(b,byte)=4×8位(b,bit)。

4、關係的確立及舉例

以上面的sst39vf1601為例,

儲存容量2m=16mbit=16*2^20bit,

以上面的hy57v641620hg為例,

儲存容量8m=8*8mbit=64*2^20bit,

總結:儲存器位寬表示每個位址下有多少位資料,與它的資料線根數相等;

儲存器的位址線根數(n)決定了它的位址編號範圍(2^n);

儲存器的位寬與它的位址線根數是沒有聯絡的;

而儲存器容量是位寬與2^n的乘積,此處單位為bit。

參考資料

360個人圖書館.360個人圖書館[引用時間2018-1-21]

儲存器的工作原理是什麼 5

7樓:

動態儲存器每片只有一條輸入資料線,而位址引腳只有8條。為了形成64k位址,必須在系統位址匯流排和晶元位址引線之間專門設計乙個位址形成電路。使系統位址匯流排訊號能分時地加到8個位址的引腳上,借助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的儲存單元,鎖存訊號也靠著外部位址電路產生。

當要從dram晶元中讀出資料時,cpu首先將行位址加在a0-a7上,而後送出ras鎖存訊號,該訊號的下降沿將位址鎖存在晶元內部。接著將列位址加到晶元的a0-a7上,再送cas鎖存訊號,也是在訊號的下降沿將列位址鎖存在晶元內部。然後保持we=1,則在cas有效期間資料輸出並保持。

當需要把資料寫入晶元時,行列位址先後將ras和cas鎖存在晶元內部,然後,we有效,加上要寫入的資料,則將該資料寫入選中的存貯單元。

由於電容不可能長期保持電荷不變,必須定時對動態儲存電路的各儲存單元執行重讀操作,以保持電荷穩定,這個過程稱為動態儲存器重新整理。pc/xt機中dram的重新整理是利用dma實現的。首先應用可程式設計定時器8253的計數器1,每隔1⒌12μs產生一次dma請求,該請求加在dma控制器的0通道上。

當dma控制器0通道的請求得到響應時,dma控制器送出到重新整理位址訊號,對動態儲存器執行讀操作,每讀一次重新整理一行。

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