1樓：千家信耐材
高溫煅燒後的爐料從外到內分別是:未反應料(在爐中起保溫作用)、氧碳化矽羼(半反應料，主要成分是c與sio。)、粘結物層(是粘結很緊的物料層，主要成分是c、sio2、40%~60%sic以及fe、al、ca、mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%~90%sic，而且是立方sic即β-sic，其餘是c、sio2及fe、a1、ca、mg的碳酸鹽)、二級品sic層(主要成分是90%~95%sic，該層已生成六方sic即口一sic，但結晶體較小、很脆弱，不能作為磨料)、一級品sic層(sic含量<96%，而且是六方sic即口一sic的粗大結晶體)、爐芯體石墨。
在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化矽層料作為乏料收集，將氧碳化矽層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、粗碎、細碎、化學處理、乾燥與篩分、磁選後就成為各種粒度的黑色或綠色的sic顆粒。要製成碳化矽微粉還要經過水選過程;要做成碳化矽製品還要經過成型與結燒的過程。
2樓：千家信耐材
石英砂+碳(石油焦或木炭或煤，灰分越少越好)，通電(石墨粉心)發熱到2000度
3樓：濟寧鈦浩機械****
碳化矽製作工藝：
由於天然含量甚少，碳化矽主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化矽和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°c左右高溫，經過各種化學工藝流程後得到碳化矽微粉。
碳化矽(sic)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用範圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。製備sic製品首先要製備sic冶煉塊[或稱：
sic顆粒料，因含有c且超硬，因此sic顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：
它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，sic冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助**料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，製備綠碳化矽時還要新增適量食鹽)經高溫製備而成。
高溫製備sic冶煉塊的熱工裝置是專用的碳化矽電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端牆、可卸式側牆、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。
該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成sic(但sic主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。
然而，≥2600℃時sic會分解，但分解出的si又會與爐料中的c生成sic。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恆功率，大功率電爐要加熱約24h，停電後生成sic的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側牆，然後逐步取出爐料。
高溫煅燒後的爐料從外到內分別是：未反應料(在爐中起保溫作用)、氧碳化矽羼(半反應料，主要成分是c與sio。)、粘結物層(是粘結很緊的物料層，主要成分是c、sio2、40%～60%sic以及fe、al、ca、mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%～90%sic，而且是立方sic即β-sic，其餘是c、sio2及fe、a1、ca、mg的碳酸鹽)、二級品sic層(主要成分是90%～95%sic，該層已生成六方sic即口一sic，但結晶體較小、很脆弱，不能作為磨料)、一級品sic層(sic含量<96%，而且是六方sic即口一sic的粗大結晶體)、爐芯體石墨。
在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化矽層料作為乏料收集，將氧碳化矽層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、粗碎、細碎、化學處理、乾燥與篩分、磁選後就成為各種粒度的黑色或綠色的sic顆粒。要製成碳化矽微粉還要經過水選過程；要做成碳化矽製品還要經過成型與結燒的過程。
製造碳化矽陶瓷的方法
4樓：匿名使用者
、無壓燒結
2023年美國ge公司通過在高純度β－sic細粉中同時加入少量的b和c，採用無壓燒結工藝，於2020℃成功地獲得高密度sic陶瓷。目前，該工藝已成為製備sic陶瓷的主要方法。美國ge公司研究者認為：
晶界能與表面能之比小於1．732是緻密化的熱力學條件，當同時新增b和c後，b固溶到sic中，使晶界能降低，c把sic粒子表面的sio2還原除去，提高表面能，因此b和c的新增為sic的緻密化創造了熱力學方面的有利條件。然而，日本研究人員卻認為sic的緻密並不存在熱力學方面的限制。還有學者認為，sic的緻密化機理可能是液相燒結，他們發現：
在同時新增b和c的β－sic燒結體中，有富b的液相存在於晶界處。關於無壓燒結機理，目前尚無定論。
以α－sic為原料，同時新增b和c，也同樣可實現sic的緻密燒結。
研究表明：單獨使用b和c作新增劑，無助於sic陶瓷充分緻密。只有同時新增b和c時，才能實現sic陶瓷的高密度化。
為了sic的緻密燒結，sic粉料的比表面積應在10m2／g以上，且氧含量盡可能低。b的新增量在0．5％左右，c的新增量取決於sic原料中氧含量高低，通常c的新增量與sic粉料中的氧含量成正比。
最近，有研究者在亞微公尺sic粉料中加入al2o3和y2o3，在1850℃～2000℃溫度下實現sic的緻密燒結。由於燒結溫度低而具有明顯細化的微觀結構，因而，其強度和韌性大大改善。
2、熱壓燒結
50年代中期，美國norton公司就開始研究b、ni、cr、fe、al等金屬新增物對sic熱壓燒結的影響。實驗表明：al和fe是促進sic熱壓緻密化的最有效的新增劑。
有研究者以al2o3為新增劑，通過熱壓燒結工藝，也實現了sic的緻密化，並認為其機理是液相燒結。此外，還有研究者分別以b4c、b或b與c，al2o3和c、al2o3和y2o3、be、b4c與c作新增劑，採用熱壓燒結，也都獲得了緻密sic陶瓷。
研究表明：燒結體的顯微結構以及力學、熱學等效能會因新增劑的種類不同而異。如：
當採用b或b的化合物為新增劑，熱壓sic的晶粒尺寸較小，但強度高。當選用be作新增劑，熱壓sic陶瓷具有較高的導熱係數。
3、熱等靜壓燒結：
近年來，為進一步提高sic陶瓷的力學效能，研究人員進行了sic陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以b和c為新增劑，採用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度sic燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138mpa壓力下，成功實現無新增劑sic陶瓷的緻密燒結。
研究表明：當sic粉末的粒徑小於0．6μm時，即使不引入任何新增劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其緻密化。如選用比表面積為24m2／g的sic超細粉，採用熱等靜壓燒結工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無新增劑sic陶瓷。
另外，al2o3是熱等靜壓燒結sic陶瓷的有效新增劑。而c的新增對sic陶瓷的熱等靜壓燒結緻密化不起作用，過量的c甚至會抑制sic陶瓷的燒結。
4、反應燒結：
sic的反應燒結法最早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為：先將α－sic粉和石墨粉按比例混勻，經乾壓、擠壓或注漿等方法製成多孔坯體。
在高溫下與液態si接觸，坯體中的c與滲入的si反應，生成β－sic，並與α－sic相結合，過量的si填充於氣孔，從而得到無孔緻密的反應燒結體。反應燒結sic通常含有8％的游離si。因此，為保證滲si的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。
一般通過調整最初混合料中α－sic和c的含量，α－sic的粒度級配，c的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。
實驗表明，採用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的sic陶瓷具有各異的效能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結sic陶瓷相對較多，反應燒結sic相對較低。另一方面，sic陶瓷的力學效能還隨燒結新增劑的不同而不同。
無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結sic陶瓷對強酸、強鹼具有良好的抵抗力，但反應燒結sic陶瓷對hf等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫效能比較來看，當溫度低於900℃時，幾乎所有sic陶瓷強度均有所提高；當溫度超過1400℃時，反應燒結sic陶瓷抗彎強度急劇下降。（這是由於燒結體中含有一定量的游離si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致）對於無壓燒結和熱等靜壓燒結的sic陶瓷，其耐高溫效能主要受新增劑種類的影響。
總之，sic陶瓷的效能因燒結方法不同而不同。一般說來，無壓燒結sic陶瓷的綜合性能優於反應燒結的sic陶瓷，但次於熱壓燒結和熱等靜壓燒結的sic陶瓷。
5樓：登封元豐磨料耐材
製造碳化矽陶瓷的方法：無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結、反應燒結等。在原料配製中，用粉碎、混合等機械方法和結合劑、分散劑配合，達到分散，盡可能不含有凝聚粒子。
結合劑受到種類及其分子量，粒子表面的性質和溶劑的溶解性等影響，吸附在原料粒子表面上，通過立體穩定化效果，起到防止粉末原料凝聚的作用。
6樓：千家信耐材
碳化矽陶瓷材料具有高溫強度大，高溫抗氧化性強，耐磨損效能好，熱穩定性，熱彭脹係數小，熱導率大，硬度高，抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。在汽車、機械化工、環境保護、空間技術、資訊電子、能源等領域有著日益廣泛的應用，已經成為一種在很多任務業領域效能優異的其他材料不可替代的結構陶瓷。
sic陶瓷的優異效能與其獨特結構密切相關。sic是共價鍵很強的化合物，sic中si-c鍵的離子性僅12%左右。因此，sic強度高、彈性模量大，具有優良的耐磨損效能。
純sic不會被hcl、hno3、h2so4和hf等酸溶液以及naoh等鹼溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發生氧化，但氧化時表面形成的sio2會抑制氧的進一步擴散，故氧化速率並不高。在電效能方面，sic具有半導體性，少量雜質的引入會表現出良好的導電性。
此外，sic還有優良的導熱性。
sic具有α和β兩種晶型。β-sic的晶體結構為立方晶系，si和c分別組成麵心立方晶格;α-sic存在著4h、15r和6h等100餘種多型體，其中，6h多型體為工業應用上最為普遍的一種。在sic的多種型體之間存在著一定的熱穩定性關係。
在溫度低於1600℃時，sic以β-sic形式存在。當高於1600℃時，β-sic緩慢轉變成α-sic的各種多型體。4h-sic在2000℃左右容易生成;15r和6h多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成;對於6h-sic，即使溫度超過2200℃，也是非常穩定的。
sic中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩定關係變化。
碳化矽分類，碳化矽分類是什麼？
燒結過程有些不同 如配比，燒結溫度，燒結時間 耗能和應用領域也有所不同 參考無壓燒結碳化矽http zhuanli.baidu.常壓燒結碳化矽 反應燒結碳化矽 碳化矽製品可以分為很多類，根據不同的使用環境，分為不同的種類。一般使用到機械上比較多。例如使用到機械密封件上，可以稱為碳化矽密封環，可以分為...
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碳化矽中碳和矽的化合價，碳化矽中碳和矽的化合價
兩者都是第四主族的元素，但碳比矽穩定，所以矽會失去電子，為正四價。記住，同一主族的元素，電子層越少就越穩定。另外，矽是半導體材料，有一點金屬的性質，你也可以從這一點記住，矽是沒有副的化合價的，希望對你有所幫助，有什麼問題可以繼續追問我 兩者的最外層都是四個電子，但si多一層，吸引力小，所以失去電子顯...