微機原理中的RAM工作原理誰會啊？

1樓：忍俊之

ram分為sram儲存或談器和dram儲存器。

靜態儲存器（sram）依靠觸發器的兩個穩定狀態儲存資訊鏈團指，多用來作為小容量的高速緩衝儲存器，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。

動態儲存器dram是依棚配靠電容上的儲存電荷來儲存資訊，為了保持資料，所以必須隔一段時間重新整理一次，dram是由許多基本儲存元按照行和列來組成的常用作大容量的主儲存器。

ram的工作原理

2樓：寶泉嶺老邊

ram（random access memory）隨機儲存器。儲存單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與儲存單元的位置無關的儲存器。這種儲存器在斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。

按照儲存資訊的不同，隨機儲存器又分為靜態隨機儲存器（static ram,sram)和動態隨機儲存器（dynamic ram,dram)。

既然記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，那麼它是怎麼工作的呢？我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即dram），動態記憶體中所謂的「動態」，指的是當我們將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。具體的工作過程是這樣的：

乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。

ram在微控制器裡面有哪些作用

3樓：太平洋電腦網

可以直接訪問任乙個儲存單元，只要知道該單元所在記憶行和記憶列的位址即可。

儲存器可分為隨機存取儲存器（ram）和唯讀儲存器（rom）兩大類。隨機存取儲存器（ram）既可向指定單元存入資訊又可從指定單元讀出資訊。任何ram中儲存的資訊在斷電後均會丟失，所以ram是易失性儲存器。

rom為唯讀儲存器，除了固定儲存資料、**、固化程式外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。

隨機儲存用途。

sram：靜態隨機存取儲存器搜謹採取多重電晶體設計，通常每個儲存單元使用4-6只電晶體，但沒有電容器。sram主要用於快取。

dram：動態隨機存取儲存器中每個儲存單元由配對出現的電晶體和電容器構成，需要不斷地重新整理。

fpm dram：快速頁模式動態隨機存取儲存器是最早的一種dram。在儲存器根據行列位址進行位元定位的全程中，fpm dram必須處於等待狀態，資料讀取之後才能開始處理下一位資料。

向二級快取的最高傳輸速率約為176mb每秒。

edo dram：擴充套件資料輸出動態隨機存取儲存器在處理前一位資料的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位資料。只要前一位資料的位址定位成功，edo dram就開始為下一世薯基位資料定址。

它比fpm快5%左右。向二級快取的最高傳輸速率約為264mb每秒。

sdram：同步動態隨機存取儲存器利用了爆發模式的概念，大大提公升了效能。

4樓：匿名使用者

靜碧仔巨集態ram：構成ram的記憶元件是觸發器，用觸發器儲存「0」「1」資訊，因此在使用中，只要不掉電，儲存資訊可永久儲存；內部電路複雜，整合度低，速度高但**高，屬非破壞性讀出儲存器。由於不要動態重新整理電路，故用靜態ram構成儲存器時，外圍電路簡單，常用於儲存容量不大的儲存器。

動態 ram：構成ram的記憶元件是電容，用電容儲存電荷與否來儲存悔冊「0」「1」資訊，故要定時重新整理來動態地儲存「0」「1」資訊。屬破壞戚猜性讀出儲存器，內部電路簡單，整合度高但**低，速度比靜態ram低，用它來構成儲存器時，外圍電路複雜，常用於構成大容量的主存。

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