1樓：
10月15日訊息，目前已經知道高通即將推出的旗艦處理器驍龍820會採用三星14nm
finfet的製程工藝，以此來最大限度平衡功耗，令其有更好的效能，也能把功耗和發熱量降下來。
目前三星14nm finfet製程已經逐漸成熟，其首款明星晶元exynos
7420已經獲得了不少的好評。根據最新的訊息，高通一開始計畫是使用三星14nm finfet工藝製造驍龍820，不過可能最終還會推出另乙個採用10nm
finfet製程的晶元版本。這事要追溯到年初，三星宣布10nm
finfet製程工藝的相關引數已經確定，並且將會於今年年底開始試產，大規模量產將會是2023年年底。而高通驍龍820晶元將會在今年年底投產，首款終端將會在16年年初上市，而大規模生產也將會到2023年，因此其採用10nm
finfet的工藝也不足為奇。
現在14nm finfet和10nm finfet分別使用lpe和lpp版本，前者是low power early，後者是laser-produced
plasma。lpe是早期的開發版本，功耗和封裝面積有不錯的表現，但是工藝成熟度不足，良率一般。lpp是公升級版本，效能良率更出色。由於10nm
finfet的工藝尚未成熟，因此14nm finfet lpp搭配10nm finfet lpe的組合策略會比較合理。
高通並沒有透露更多的資訊，暫時只知道高通驍龍820會採用非平面finfet工藝，從目前的市場情況來看，三星14nm和10nm工藝和台積電的16nm工藝同屬於一代工藝。目前採用雙版本晶元策略的有蘋果a9，不過卻引起了不小的爭議，如果高通驍龍820也採用雙版本，可能會面臨a9同樣的困難，而且能否一改810的市場情況也是有相當大的變數。
2樓：匿名使用者
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