1樓：老將從頭來
1）單向導電性是二極體的最主要特性。二極體的符號中三角形是正極，另一端是負極。當正極的電壓高於負極電壓時，二極體導通，電流可以流過二極體；當正極的電壓低於負極電壓時，二極體截止，電流無法流過二極體。
也就是說，電流只能從正極流入負極流出，反過來則不能通過。這就是二極體的單向導電性。
2）由於二極體的單向導電性，交流電流的每一個週期中只有半個週期能從二極體通過。沒有串聯二極體的時候，次級電壓最大值是√2 u2（u2是有效值），串聯了二極體後，次級電壓最大值是√2 u2/2.。據此判定a是錯的。
3）懂了二極體的單向導電性，二極體短路時，輸出功率加倍就迎刃而解了。把另一半電壓找回來了，功率自然也回來了。
2樓：near芥末
只有當電流順著二極體的電流方向是，才導電，否則相當於斷路
將二極體短路是什麼意思?麻煩解釋d選項~t^t
3樓：許可
二極體兩端用導線連線
二極體兩端是有一個壓降的，短路之後，電流不經過二極體
二極體短路輸出功率為什麼變大?
4樓：匿名使用者
在標準測試條件下：
1. 照度：w/㎡
2. 溫度：為（25±1）℃
3. 光譜特性：am1.5 標準光譜
將太陽能電池板的正負極短接，得到的電流即是在stc（standard test condition，即標準測試條件）下的短路電流；短路電流用isc表示，是在標準測試條件下，降元件正負極短接測得的電流
而通常標稱的最大電流，即impp，最大功率點工作電流；
是指工作在標準測試條件下，工作最大功率點時，元件的輸出電流，用impp表示
二極體結溫是處於電子裝置中實際二極體晶片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高於外殼溫度和器件表面溫度。結溫可以衡量從二極體晶圓到封裝器件外殼間的散熱所需時間以及熱阻。
二極體結溫和二極體的壽命息息相關，在運用的時候希望結溫越低越好（合適的效率和成本的情況下）
你這裡可能是元件或者匯流箱防反二極體的選擇需要考慮到二極體的工作結溫
d．將二極體短路，電流表的讀數加倍
5樓：看不見的星
二極體短路前負載上通過的是交流電的一個半周，二極體短路後負載上通過的是交流電的整個週期，所以電流表的讀數加倍。電褥子的半功率開關就是用的這種電路。
為什麼將二極體短路 然後為什麼負載消耗的功率加倍。 然後為什麼原線圈輸入功率也加倍。 這兩個都不懂
6樓：藍拓愛女
有一個二極體，就會半波通，半波不通；
通的時候耗電，不通當然不耗電，所以只有一半。
短路意味著兩個半波全通，全耗能。
次級的能量**於初級，次級增倍，初級也增倍。
二極體為什麼具有單向導電性？
7樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是“二極體具有單向導電性”，應該說是“pn結具有單向導電性”。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
二極體為什麼有單向導電性？
8樓：佛善緣友
二極體是把p型半導體和n型半導體結合在一起形成的。
只有在pn方向加正電壓才能導通電流從p型半導體和n型半導體，電流不能從n型半導體流向p型半導體，這是物質的物理特性決定。
把p型半導體和n型半導體結合在一起，p區（p型半導體）中空穴濃度大，n區中電子濃度大。因此在兩者的結合面會發生電子與空穴的擴散。空穴和電子會相互越過交介面進行復合，這樣就在n區靠近交接面處帶正電荷，在p區靠近交接面處帶負電荷，即在p區.
n區交介面的薄層區內一邊帶正電荷，一邊帶負電荷，這個薄層稱之為pn結。
(1) 加正向電壓（正偏）——電源正極接p區，負極接n區
外電場的方向與內電場方向相反。
外電場削弱內電場→耗盡層變窄→擴散運動＞＞漂移運動→多子擴散形成正向電流（與外電場方向一致）i f
(2) 加反向電壓（反偏）——電源正極接n區，負極接p區
外電場的方向與內電場方向相同。
外電場加強內電場→耗盡層變寬→漂移運動＞＞擴散運動→少子漂移形成反向電流i r （這個反向電流數值很小，基本可以認為電路截止）
測量二極體的單向導電性時，d1輸出訊號的正半周與輸入正弦波的正半周完全重合嗎？為什麼？ 10
9樓：0427付強
並不完全重合，輸出的正半周波形是輸入交流電波形略向下平移一點的波形。原因是二極體正向導通時有電壓降。
PN接面的單向導電性是什麼，PN接面的單向導電性有什麼作用
如之人兮 pn結正偏時導通，呈現很小的電阻，形成較大的正向電流 pn結反偏時截止,呈現很大的電阻,反向電流近似為零。通常的說法是在不加外電壓時，這個pn結中p區的多子是空穴，n區的多子是電子 通常只考慮多子 因為濃度差，載流子必然向濃度低的方向擴散。在擴散前，p區與n區的正負電荷是相等的，呈電中性。...
二極體為什麼具有單向導電性，半導體二極體為什麼能單向導電呢？
朱杞檸 二極體中p區以空穴 正電荷 為主，n區以電子 負電荷 為主 p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區的負電荷由於pn結的阻擋而不能擴散 當二極體外加正向電壓 p區接高電平，n區接低電平 時，外加電壓的方向和pn結...
二極體不是單向導電性嗎？三極體是由PN節構成的，為什麼三極體的集電極反偏卻有電流通過？反偏不就
四海折騰 這個問題要結合三極體的2個pn結的情況來看。集電極反偏，集電極與基極之間的pn結處於截止狀態，沒有多數載流子流動，這種情形和二極體的單向導電性相似。但如果這時給發射極加上正向偏置，由發射極注入的多數載流子 對於npn是自由電子，pnp則是空穴 由於擴散效應而流過基極，最後可到達集電區，由於...