如圖所示,在圓柱形區域記憶體在豎直向上的勻強磁場,磁感應強度的

時間 2021-08-11 16:07:34

1樓:讓蛋子飛

由題意可知,如圖所示的磁場在均勻增加時,則會產生順時針方向的渦旋電場,那麼正電荷在電場力作用下,做順時針方向圓周運動,

根據動能定理,轉動一週過程中,動能的增量等於電場力做功,則為w=qu=q△b

△tπr

=qkπr2,故c正確,abd錯誤,

故選:c.

在圓柱形空間內有一磁感應強度為b的均勻磁場,b的大小以速率db/dt變化,在磁場中有a/b兩點,其間放置直導線ab

2樓:夙幾君未涼

根據楞次定律和法拉第電磁感應原理可知,b是均勻磁場,b的大小速率恆定改變

3樓:匿名使用者

將oa,ob連起來,然後用法拉第電磁感應定律,發現導線的電勢等於圍成面積的電勢

4樓:砸你家玻理

可以假設在a、b兩點存在一個如圖迴路,那麼磁場變化時,迴路中一定有恆定感應電場,跟據感應電場在一閉合環路積分等於感應電動勢(我打不出來,只能敘述了)這一定理,會發現,acb的長度大於ab,所以acb中電動勢比ab中的大

5樓:小柒

彎曲的大,變化的磁場會產生感應電場,感應電動勢等於感應電場沿導線的積分,彎的導線長。

6樓:藥王

彎曲的 但我也不知道為啥 我也在找解釋

(2011?天津模擬)如圖所示,半徑為r的圓形區域記憶體在著磁感應強度為b的勻強磁場,方向垂直於紙面向裡,

7樓:遊客軍團

r②由①②兩式得qm=

3v3br③

運動週期t=2πmqb④

在磁場中的運動時間t=16t⑤

由③④⑤式得t=3πr

3vr⑧平移距離d=rsinθ⑨

由①⑧⑨式得d=33r.

(2012?福建)如圖甲,在圓柱形區域記憶體在一方向豎直向下、磁感應強度大小為b的勻強磁場,在此區域內,沿

如圖所示,在以座標原點o為圓心、半徑為r的圓形區域內,存在磁感應強度大小為b、方向垂直於紙面向裡的勻

8樓:匿名使用者

又qvb=mv

r,則粒子的荷質比為:qm=v

br.(2)當b′=33

b,由qvb′=mv

r得:r=3

mvqb=3

r,設粒子從d點射出磁場,由幾何關係得:θ=300,則粒子做圓周運動的圓心角為:2θ=600,則 t=1

6t=1

6×2πm

qb′=3πm

3qb=3πr

3v3r,則 x

d=?(dacosθ?r)=?1

2r,y

d=dasinθ=32

r則出射點d的座標為(?12r,

32r)

答:(1)粒子帶負電荷,其比荷為qm=v

br;(2)粒子在磁場中的運動時間t為3πr

3v;(3)粒子出射點的座標為(?12r,

32r).

如圖,在 0≤x≤ 3 a 區域記憶體在與xy平面垂直的勻強磁場,磁感應強度的大小為b.在t=0時刻,

9樓:米田奈美子

(1)初速度與y軸方向平行的粒子在磁場中的運動軌跡如圖1中的弧op所示,其圓心為c.由題給條件可以得出

∠ocp=2π 3

①此粒子飛出磁場所用的時間為

t0 =t 3

②式中t為粒子做圓周運動的週期.

設粒子運動速度的大小為v,半徑為r,由幾何關係可得

r=2 3

3a   ③

由洛侖茲力公式和牛頓第二定律有

qvb=mv2

r④t=2πr v

⑤聯立②③④⑤解得q m

=2π3bt0

mn上.如圖所示.

設此時位於p、m、n三點的粒子的初速度分別為vp 、vm 、vn .由對稱性可知vp 與op、vm 與om、vn 與on的夾角均為π 3

.設vm 、vn 與y軸正向的夾角分別為θm 、θn ,由幾何關係有θ

m =π 3

⑦θn =2π 3

⑧對於所有此時仍在磁場中的粒子,其初速度與y軸正方向所成的夾角θ應滿足π 3

≤θ≤2π 3

(3)在磁場中飛行時間最長的粒子的運動軌跡應與磁場右邊界相切,其軌跡如圖2所示.由幾何關係可知:

om=op

由對稱性可知

me=op

由圖可知,圓的圓心角為240°,從粒子發射到全部粒子飛出磁場所用的時間2t0 ;

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