1樓：
一般的逆變器、開關電源、電機驅動等應用中都需要2個以上mosfet或者igbt構成橋式連線，其中靠近電源端的（比如圖中紅色部分）通常被稱為高壓側或上臂、靠近地端的通常被稱為低壓側或下臂（比如圖中藍色部分），高低只是針對兩者所處位置不同，電壓值不一樣來區分的。
如果用驅動單個mosfet的方法去驅動高壓側的功率管，當需要關斷下臂的時候，那麼基本上臂是無法導通的，所以上臂和下臂的驅動電壓值是不一樣的，上臂要略高於下臂。
傳統的方法一般是多路電源驅動或者搭建自舉公升壓電路。但是都存在器件過多，可靠性低的問題，而且器件多了以後在高頻應用中分布引數、佈線、電磁干擾都是問題。所以現在一般都是用專用的驅動晶元去做。
比如給你的datasheet截圖中就是使用的型號為ir2130的乙個3相6輸出的mosfet/igbt驅動專用晶元。
如果做設計或者diy建議使用專用晶元比較好一些
2樓：匿名使用者
高側驅動——就是驅動高側igbt的驅動。半橋結構由高側igbt和低側igbt構成，驅動高側igbt的叫高側驅動，驅動低側igbt的叫低側驅動。請參考ir2181的規格書（一種高側+低側驅動晶元）：
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