PNP型三極體的工作原理是什麼,PNP三極體工作原理

時間 2021-07-09 18:43:44

1樓:假面

pnp管:電流從發射極流入基極與集電極。然而npn管:

電流從基極,集電極流入從發射極流出三極體正常工作條件:給管子be結加正扁電壓,bc結加反扁電壓,be結的正扁電壓要大於或等於導通電壓。npn型:

uc〉ub〉ue    pnp型:ue〉ub〉uc

pnp三極體工作原理

2樓:匿名使用者

在基區運動並放大訊號的多數載流子是空穴而不是電子。

晶體三極體按材料分有兩種:鍺管和矽管。而每一種又有npn和pnp兩種結構形式,但使用最多的是矽npn和pnp兩種三極體,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹npn矽管的電流放大原理。

pnp電晶體的發射結要正偏,基區的電壓要比發射區的電壓要低,而集電極要使多數載流子空穴通過,集電區的電壓要比基區的要低。這一點和npn電晶體的極間電位正好相反。

在雙極模擬積體電路中要應用npn-pnp互補設計以及某些偏置電路極性的要求,需要引入pnp結構的電晶體。如橫向pnp管廣泛應用於有源負載、電平位移等電路中。

縱向pnp管其結構以p型襯底作集電區,集電極從濃硼隔離槽引出。n型外延層作基區,用硼擴散作發射區。由於其集電極與襯底相通,在電路中總是接在最低電位處,這使它的使用場合受到了限制,在運放中通常只能作為輸出級或輸出緩衝級使用。

3樓:改全嶽媚

三極體是一種

控制元件

,主要用來控制電流的大小,以共發射極接法為例(訊號從基極輸入,從集電極輸出,發射極接地),當基極電壓ub有一個微小的變化時,基極電流ib也會隨之有一小的變化,受基極電流ib的控制,集電極電流ic會有一個很大的變化,基極電流ib越大,集電極電流ic也越大,反之,基極電流越小,集電極電流也越小,即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多,這就是三極體的放大作用。ic

的變化量與ib變化量之比叫做三極體的放大倍數β(β=δic/δib,δ表示變化量。),三極體的放大倍數β一般在幾十到幾百倍。

三極體在放大訊號時,首先要進入導通狀態,即要先建立合適的靜態工作點

,也叫建立偏置,否則會放大失真。

在三極體的集電極與電源之間接一個電阻,可將電流放大轉換成電壓放大

:當基極電壓ub升高時,ib變大,ic也變大,ic在集電極電阻rc的壓降也越大,所以三極體集電極電壓uc會降低,且ub越高,uc就越低,δuc=δub。僅供參考

4樓:但莘嵇迎秋

1.三極體結構

x0202nn5bph

(1)npn型三極體結構。圖6-6所示是npn型三極體結構示意圖。三極體由三塊半導體構成,對於npn型三極體而言,由兩塊n型和一塊p型半導體組成,p型半導體在中間,兩塊n型半導體在兩側,這兩塊半導體所引出的電極名稱如圖6-6中所示。

在p型和n型半導體的交介面處形成兩個pn結,這兩個pn結與前面介紹的二極體pn結具有相似的特性。

(2)pnp型三極體結構。圖6-7所示是pnp型三極體結構示意圖。它與npn型三極體基本相似,只是用了兩塊p型半導體、一塊n型半導體,也是形成兩個pn結,但極性不同。

2.三極體工作原理

三極體共有三個電極,各電極的電流分別是:基極電流,用ib表示;集電極電流,用如表示;發射極電流,用ie表示。各電極電流之間的關係說明是必須要掌握的知識。

無論是npn型還是pnp型三極體,三個電極電流之間關係相同。

表6-2所示是三極體各電極電流之間的關係。

三極體具有電流放大作用,它是一個電流控制器件。所謂電流控制器件,是指它用很小的基極電流ib來控制比較大的集電極電流ic和發射極電流ie,沒有ib,就沒有ic和ie。

在ic=βib中,β為幾十甚至更大,只要有一個很小的輸入訊號電流ib,就有一個很大的輸出訊號電流ic出現。由此可見,三極體能夠對輸入電流進行放大。在各種放大器電路中,就是用三極體的這一特性來放大訊號的。

在三極體電路中,三極體的輸出電流ic或ie是由直流電源提供的;基極電流ib則是一部分由所要放大的訊號源電路提供,另一部分也是由直流電源提供的。

如果三極體沒有電流ib,三極體就處於截止狀態,直流電源就不會為三極體提供ic和ie(ic和ie都是由直流電源提供的,除了ie中很小的ib,因為它是基極輸入電流)。

基極電流ib由兩部分組成:直流電源提供的靜態偏置電流和由訊號源提供的訊號電流。

由上述分析可知,三極體能將直流電源的電流按照輸入電流ib的要求(變化規律)轉換成相應的電流ic和ie。從這個角度上講,三極體是一個電流轉換器件。圖6-8所示是三極體電流控制作用示意圖。

5樓:磨漢都吉月

依然是“ie=ib+ic”

但是方向全都反過來了。

當然相對管腳壓降也反過來。

pnp三極體工作原理(通俗易懂的,謝謝)

6樓:匿名使用者

發射區滲複雜濃度高,制當發射結正偏時,其多數載流子空穴向基區擴散,形成發射極電流,其方向與電子流方向相反。

此時雖然基區的多子電子也要向射區擴散,但基區摻雜濃度低,與電子流相比可以忽略,擴散到基區的空穴只有少數與基區的電子複合,而複合掉的空穴由接到基區的負電源拉走空穴所䃼充,形成基極電流。

集電結反偏所產生的內電場吸引電子流繼續向集電極做漂移運動,形成集電極電流。

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