電源輸入端的整流二極體有沒有正向壓降比較小的

時間 2022-03-05 15:25:14

1樓:匿名使用者

1、整流二極體:利用二極體單向導電性,可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈衝直流電。2、開關元件:

二極體在正向電壓作用下電阻很小,處於導通狀態,相當於乙隻接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大,處於截止狀態,如同乙隻斷開的開關。利用二極體的開關特性,可以組成各種邏輯電路。3、限幅元件:

二極體正嚮導通後,它的正向壓降基本保持不變(矽管為0.7v,鍺管為0.3v)。

利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把訊號幅度限制在一定範圍內。4、繼流二極體:在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。

5、檢波二極體:在收音機中起檢波作用。6、變容二極體:

使用於電視機的高頻頭中。7、顯示元件:用於vcd、***、計算器等顯示器上。

8、穩壓二極體:反向擊穿電壓恆定,且擊穿後可恢復,利用這一特性可以實現穩壓電路。二極體實物晶體二極體為乙個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其介面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。

當不存在外加電壓時,由於p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0。

當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。p-n結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

2樓:秋之明月

採用快恢復二極體,壓降是最小的了。

3樓:百小度

鍺管更小,0.15伏以下

什麼叫二極體的管壓降

4樓:浪裡小青魚

二極體的管壓降是指二極體的正向電壓降。

在規定的正向電流下,二極體的正向電壓降,是二極體能夠導通的正向最低電壓。小電流矽二極體的正向壓降,在中等電流水平下,約0.6~0.

8v;鍺二極體約0.2~0.3 v。

大功率的矽二極體的正向壓降往往達到1v。

二極體是由pn結構成的,任何一種材料的pn結在正嚮導通時,都會有電壓降,矽管是0.7v  鍺管是0.3v。

在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。

只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」,鍺管約為0.2v,矽管約為0.6v)以後,二極體才能直正導通。

導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3v,矽管約為0.7v),稱為二極體的「正向壓降」。

在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。

當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方向導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。

5樓:電識分享

二極體壓降是怎麼回事?一分鐘

6樓:球探報告

例如:設矽二極體負極電勢為零,則正極電勢為0.7,當在二極體兩端加正向電源電壓10v時,二極體正極電勢為10v,負極電勢為10-0.7=9.3v。

說明二極體有調壓的作用。

7樓:匿名使用者

二極體在正嚮導通時在正極和負極之間會有乙個電壓差,這就是二極體的管壓降。 但不一定是0.7v,比如鍺管一般是0.

3v左右,肖特基二極體一般是0.5v左右,矽管一般是0.7v左右而在大電流情況下管壓降是1v左右。

8樓:

二極體是由pn結構成的,任何一種材料的pn結在正嚮導通時,都會有電壓降,矽管是0.7v 鍺管是0.3v。所以二極體的管壓降是指二極體導通時的正向電壓降。

9樓:魯莊

矽二極體正嚮導通時,二極體自身有0.7的壓降,乙個10v的電壓經二極體後變成9.3v。

10樓:匿名使用者

二極體具有對電的單相導通特性,在電路中反向的電流不能通過,正向電能導通,但其電壓要下降03-07伏,這下降的電壓數值就是二極體的壓降。二極體的壓降根據其型號及所在電路的狀態不同而定。

什麼是二極體的壓降和導通壓降

11樓:暮不語

導通壓降:二極體開始導通時對應的電壓。

正向特性:在二極體外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服pn結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服pn結電場時,二極體正嚮導通,電流隨電壓增大而迅速上公升。

反向特性:外加反向電壓不超過一定範圍時,通過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小,二極體處於截止狀態。反向電壓增大到一定程度後,二極體反向擊穿。

擴充套件資料紅色發光二極體的壓降為2.0--2.2v,黃色發光二極體的壓降為1.

8—2.0v,綠色發光二極體的壓降為3.0—3.

2v,正常發光時的額定電流約為20ma。

12樓:假面

二極體正嚮導通後,它的正向壓降基本保持不變(矽管為0.7v,鍺管為0.3v)。

正向特性

在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。

必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」,鍺管約為0.2v,矽管約為0.

6v)以後,二極體才能直正導通。

導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3v,矽管約為0.7v),稱為二極體的「正向壓降」。

反向特性

在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。

二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方向導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。

肖特基二極體與普通二極體有啥區別

13樓:南非烏雀

矽管的初始導通壓降是0.5v左右,正常導通壓降是0.7v左右,在接近極限電流情況下導通壓降是1v左右;

鍺管的初始導通壓降是0.2v左右,正常導通壓降是0.3v左右,在接近極限電流情況下導通壓降是0.4v左右,

肖特基二極體的初始導通壓降是0.4v左右,正常導通壓降是0.5v左右,在接近極限電流情況下導通壓降是0.8v左右。

兩種二極體都是單向導電,可用於整流場合。區別是普通矽二極體的耐壓可以做得較高,但是它的恢復速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電,最後導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極體的耐壓能常較低,但是它的恢復速度快,可以用在高頻場合,故開關電源採用此種二極體作為整流輸出用,儘管如此,開關電源上的整流管溫度還是很高的。

快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體(5us以下),工藝上多採用摻金措施,結構上有採用pn結型結構,有的採用改進的pin結構。其正向壓降高於普通二極體(1-2v),反向耐壓多在1200v以下。從效能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。

前者反向恢復時間為數百納秒或更長,後者則在100納秒以下。 肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體,簡稱肖特基二極體(schottky barrier diode),具有正向壓降低(0.4--0.

5v)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150v,多用於低電壓場合。 這兩種管子通常用於開關電源。 肖特基二極體和快恢復二極體區別:

前者的恢復時間比後者小一百倍左右,前者的反向恢復時間大約為幾納秒~! 前者的優點還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當然都是二極體阿~!

快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。

14樓:肥城_龍山中學

呵呵,你好~

肖特基整流管的結構原理與pn結整流管有很大的區別,通常將pn結整流管稱作結整流管,而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管。

肖特基整流管僅用一種載流子(電子)輸送電荷,在勢壘外側無過剩少數載流子的積累,

因此,不存在電荷儲存問題(qrr→0),使開關特性獲得時顯改善。

其反向恢復時間已能縮短到10ns以內。

但它的反向耐壓值較低,一般不超過去時100v。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。

利用其低壓降這特點,能提高低壓、大電流整流(或續流)電路的效率,而普通二極體就不具備這些特點。

肖特基(schottky)二極體的最大特點是正向壓降 vf 比較小。

在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。

另外它的恢復時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流稍大些。

在高電壓整流電路應用時,還是應該選用普通pn結整流二極體。

15樓:孤鵺

肖特基二極體和普通二極體有什麼不同,它到底有什麼優缺點

肖特基二極體與普通二極體有什麼區別?

16樓:南非烏雀

矽管的初始導通壓降是0.5v左右,正常導通壓降是0.7v左右,在接近極限電流情況下導通壓降是1v左右;

鍺管的初始導通壓降是0.2v左右,正常導通壓降是0.3v左右,在接近極限電流情況下導通壓降是0.4v左右,

肖特基二極體的初始導通壓降是0.4v左右,正常導通壓降是0.5v左右,在接近極限電流情況下導通壓降是0.8v左右。

兩種二極體都是單向導電,可用於整流場合。區別是普通矽二極體的耐壓可以做得較高,但是它的恢復速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電,最後導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極體的耐壓能常較低,但是它的恢復速度快,可以用在高頻場合,故開關電源採用此種二極體作為整流輸出用,儘管如此,開關電源上的整流管溫度還是很高的。

快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體(5us以下),工藝上多採用摻金措施,結構上有採用pn結型結構,有的採用改進的pin結構。其正向壓降高於普通二極體(1-2v),反向耐壓多在1200v以下。從效能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。

前者反向恢復時間為數百納秒或更長,後者則在100納秒以下。 肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體,簡稱肖特基二極體(schottky barrier diode),具有正向壓降低(0.4--0.

5v)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150v,多用於低電壓場合。 這兩種管子通常用於開關電源。 肖特基二極體和快恢復二極體區別:

前者的恢復時間比後者小一百倍左右,前者的反向恢復時間大約為幾納秒~! 前者的優點還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當然都是二極體阿~!

快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。

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