1樓：鐸瑩玉弘珏
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，
但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
2樓：匿名使用者
可控矽就是乙個開關，控制電壓和電流，能分得開嗎？應該是同時控制的。
比如，家裡電燈的開關，你 說是控制電壓還是電流？說只控制電壓，開關開啟了，給電燈加電壓了，那燈泡中沒有電流通過嗎？
如果說控制電流的，沒有電壓，哪來的電流？
可控矽是電流控制，還是電壓控制項？
3樓：匿名使用者
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用， 但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
用可控矽調節燈的亮度的時候是通過調節電流還是電壓大小來實現的？
4樓：匿名使用者
可控矽控制白熾燈亮度的通用方式是導通角控制，以觸發脈衝移相的辦法來控制可
版控矽導通角。電位器rv2調整權可控矽(triac)的相位角，當vc3超過diac的擊穿電壓時，可控矽會導通。
當可控矽電流降到其維持電流(iholding)以下時，可控矽關斷，且必須等到c3在下個半週期重新充電後才能再次導通。燈泡燈絲中的電壓和電流與調光訊號的相位角密切相關，相位角的變化範圍介於0度(接近0度)到180度之間(取決於調光器)。
5樓：匿名使用者
都不是。可控矽控制白熾燈亮度的通用方式是導通角控制，以觸發脈衝移相的辦法來控制可控矽導通角。
這種方式的控制過程見附圖
6樓：匿名使用者
可以省電，可控矽調光是以調整白熾燈兩端的電壓來實現的。
可控矽是不是可以調壓，那可控矽是直流控制交流嗎？
7樓：
答案如下：
1、可控矽可以調壓。
2、可控矽可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用於直流電路時最好使用直流下可關斷可控矽，可控矽主迴路的在導通情況下關斷時，要滿足主迴路電流小於其維持電流的條件才能被關斷，一般可控矽的維持電流在幾毫安——幾十毫安範圍內。控制交流電路時，由於交流電流有過零時刻，可控矽主迴路電流小於維持電流，因此能夠滿足關斷條件。
直流電路中也可以採用產生反向電流的電路使主迴路電流瞬間小於維持電流，而被關斷。
3、用可控矽控制交流的應用很廣泛，單結電晶體交流調壓電路就是一種典型的交流調壓電路。調壓原理是：通過改變單結電晶體發出觸發脈衝的導通角度來控制可控矽的導通時間，來實現交流調壓。
此電路中，單結電晶體是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源。
4、通常在調壓電路中，觸發電路由控制電路產生，控制電路工作在直流電路中。
5、其實，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控矽的控制原理就行了，其最基本的原理就是用觸發脈衝控制可控矽的導通，用較小的觸發電流控制較大電流的負載工作。
可控矽、mosfet、igbt、gto是電壓觸發還是電流觸發，它們在作用上有什麼區別與聯絡
8樓：杰哥的
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，。
但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。
igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
擴充套件資料
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由乙個pnp管和乙個npn管所組成，其等效**如右圖所示。雙向可控矽：雙向可控矽是一種矽可控整流器件，也稱作雙向閘流體。
這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如ibm使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程。
而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵，因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造mosfet元件。
可控矽是不是可以調壓，那可控矽是直流控制交流嗎
表控科技控制器 1 可控矽可以調壓。2 可控矽可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用於直流電路時最好使用直流下可關斷可控矽，可控矽主迴路的在導通情況下關斷時，要滿足主迴路電流小於其維持電流的條件才能被關斷，一般可控矽的維持電流在幾毫安 幾十毫安範圍內。控制交流電路時，由於交流電流有過零時刻，可...
微控制器控制PWM要用到雙向可控矽求相關電路圖和程式（最好是C語言的）我把剩下的所有財富都給大家了急
這個我經常用，電機調速控制，嚴格說這不是pwm，是可控矽移相觸發。電路很簡單，乙個可控矽觸發電路，乙個過零檢測電路，配合一段中斷服務程式就能完成。不知道你應用的一些詳情，簡單說一下思路。可控矽觸發一般使用moc3021，相關手冊上有典型電路，cpu端接乙個gpio就可以。閉環控制時過零檢測不需要很精...
使用雙向可控矽控制交流電機時元件的選擇
接通電磁閥線圈 一般小於10w 可用bt136可控矽，光耦觸發電阻選330歐姆，保護電阻100歐姆，保護電容選0.1u 0.022 1000v，cbb21，這種小負載也可不用保護電阻，電容。 bt136可控矽 10 w 以下 負載小的可不用保護電阻和電容 補充 雙向可控矽 是在普通可控矽的基礎上發展...