1樓：匿名使用者
多晶矽鑄錠爐。
1、 設帶灶備用途：
太陽能級多晶矽真空定向凝固鑄錠。
2、 技術指標：
2-1 鑄錠規格：
鑄錠尺寸： 720mml×720mmw×275mmh，鑄錠重量： 300kg
2-2 加熱方式： 四區石墨電阻加熱。
2-3 額定溫度： 1550℃
2-4 控溫精度： ±1℃
2-5 極限真空度：
2-6 壓公升率：
2-7 充氣系統： 由充氣管路和閥門組成，自動控制。
2-8 額定充氣壓力：
2-9 溫度梯度： 1℃—10℃/cm
2-10定向凝固速率：
2-11 加熱電源： 直流電源。
2-12 加熱總功率： 200kw
2-13 石墨熱場材料：進口高階石墨碳氈、高純石墨加熱器和碳碳複合材料。
2-14 真空系統配置：德國萊保真空幫浦，全不鏽鋼真空管路閥門。
2-15 爐體材料： 全不鏽鋼製造。
2-16 控制系統： 西門子s7-300可程式設計控制單元。
2-17 控制方式： 觸控螢幕自動控制搏行源系統。
2-18 水冷卻形式： 閉式冷卻水迴圈系統。
3、裝置特點：
3-1 四組石墨加熱器分上部、側上、側下和下部合理佈局，即能滿足矽熔化所需的高溫均勻熱場，又能夠通過功率調整實現定向凝固所需要的良好的溫度梯度。
3-2 定向凝固石墨單元用於保證矽結晶過程中固液介面的平面度。
3-3 控制系統全面基態實現自動化、工藝過程固化儲存。
2樓：匿名使用者
將多晶矽料棒融化鑄成矽錠後做切片處理。
3樓：匿名使用者
該裝置是專為太陽能工業設族兄計的專用裝置，使多晶矽鑄錠的必需裝置。該型裝置能自動或手動完成鑄錠過程，高效節能，運肢衝用先進的計算機控制技術，實現穩定定向凝固，生產的多晶矽矽錠質量高，規格大。
該型裝置的優點有：生產效率高，產品質量高；加熱速度快，效率高；安全可靠，多重裝置防護，保障人身安全；全中文操作，全程自動報警，省時省歷穗殲力。
多晶矽鑄錠爐漏液原因
4樓：心誠為足
石英坩堝矽液溢流原因及解決方法。
石英坩堝是多晶矽鑄錠過程中經常會使用到的一種容器。佑鑫石英在多晶矽鑄錠的生產過程中常會遇到矽液溢流這個情況。而矽液溢流的出現與坩堝的聯絡密不可分，以下為會出現的問題以及其解決辦法：
1、坩堝的隱裂。盛放矽錠的坩堝通常為石英陶瓷材料，它的製作方式分為注漿成型以及注凝成型這兩種方式，但是不論哪種方式製作出來的坩堝，都會有隱裂和氣孔等缺陷，這些石英坩堝在出廠前會經歷兩道以上的顯影液透光檢查，但是仍然可能會有漏檢的開裂坩堝，另外在運輸或者搬運過程中也會遇到震動或者磕碰，都可能會導致坩堝產生隱裂，這些坩堝在裝料前如果還是沒有檢測出來，那麼在熔化過程中可能就會出現矽液溢流現象。所以在坩堝拆箱之後，噴塗前需要嚴格的進行檢測，較為方便的操作就是要使用強光燈源對坩堝的五個面進行透光檢測。
2、裝料被擠壓。裝料的時候坩堝邊角的位置如果有大塊兒的矽料靠近，佑鑫石英矽料之間特別需要注意應該留有一定的空隙，以防止裝料過擠，引發溢流的現象。這是因為裝料過於擁擠之後，液體矽可能會流到石英坩堝底部因溫度過冷而凝固，如果沒有足夠的空間讓它膨脹，會造成坩堝壁的擠壓，導致坩堝的破裂而溢流。
因此越是靠近邊角的位置越容易因為裝料的不合理而溢流。
3、工藝引數的不合理。在鑄錠的過程中，加熱到初熔期，熱場內部溫度的縱向梯度會相對的較大，石英坩堝的中下部溫度在很長一段時間會偏低。過高的功率或者公升溫速度會導致坩堝在縱向上的晶相轉化速度相差比較大，因此產生較長時間的拉伸作用導致容易產生裂紋，從而會引發溢流現象。
因此許多的鑄錠工藝會在1200℃左右的溫度下保溫一段時間，等到坩堝上下的溫度相對均勻之後再進行繼續公升溫。
因此在使用石英坩堝生產過程中如果遇到類似的問題，佑鑫石英可以嘗試使用以上所提到的方法進行改善矽液溢流的問題，從而能夠較大程度上提高產品的生產質量。
**（辦公室）：+86
多晶鑄錠爐的體積增大的影響有那些？
5樓：網友
1. 爐體增大目的就是為了提高熱場的容量，在生產時間相差不多情況下提高鑄錠爐單位矽錠。
重量，提高產能。這其中的熱場肯定要根據實際溫度分佈重新設計以改進鑄錠工藝，比如。
京運通460型爐和880型爐及gt270型和450型都是爐體一樣對熱場進行改進，可以借鑑。
2. 現在相對來說450型鑄錠工藝比較成熟，樓主的爐體大，鑄錠重量不增加，建議模仿450型，這樣溫區比較緊湊，溫區好控制。
3. 爐體大小隻是鑄錠重量增加的決定性因素之一，主要還是內部熱場容量。爐體越大對後期的。
熱場公升級留有餘量。
4. 具體引數現在都是保密的，可以派個間諜到生產廠家現場測繪。^o^
6樓：善良的樂意助人
a 我也不太清楚，不過你下個專看電影的軟體吧，比如 迅雷看看看 這個軟體不錯。
7樓：網友
爐體增大，爐內的熱場分部就回發生變化，這些涉及很多工藝變動，建議不增加產量儘量不要採取增大鑄錠爐重量！
8樓：網友
那多浪費啊，我是做多晶鑄錠測試用石英棒的，不過直到爐子很費電，不多放料太浪費了。
9樓：網友
會引起溫度波動，造成結晶不好。
多晶矽鑄錠爐註冊商標屬於哪一類？
10樓：八戒智財權
多晶矽鑄錠爐屬於商標分類第7類0731群組；
經路標網統計，註冊多晶矽鑄錠爐的商標達9件。
註冊時怎樣選擇其他小項類：
1.選擇註冊（鑄造(錠)機，群組號：0731）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
2.選擇註冊（催化轉換器，群組號：0731）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
3.選擇註冊（鑄件裝置，群組號：0736）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
4.選擇註冊（迴轉窯，群組號：0731）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
5.選擇註冊（攪煉機，群組號：0731）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
6.選擇註冊（鑄造機械，群組號：0736）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
7.選擇註冊（電子工業裝置，群組號：0744）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
8.選擇註冊（焙燒爐，群組號：0731）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
9.選擇註冊（補爐機，群組號：0731）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
矽多晶鑄錠爐註冊商標屬於哪一類？
11樓：八戒智財權
矽多晶鑄錠爐屬於商標分類第11類1107群組；
經路標網統計，註冊矽多卜洞舉晶鑄錠爐的商標達45件。
註冊時怎樣選擇其他小項類：
1.選擇註冊（鍋爐(非機器部件)，群組號：1107）類別的商標有5件，註冊佔比率達。
2.選擇註冊（矽單晶生長爐，群組號：1107）類別的商標有5件型碧，註冊佔比率達。
3.選擇註冊（固體、液體、氣體燃料加熱器，顫銀群組號：1107）類別的商標有5件，註冊佔比率達。
4.選擇註冊（熔爐，群組號：1107）類別的商標有5件，註冊佔比率達。
5.選擇註冊（藍寶石晶體生長爐，群組號：1107）類別的商標有5件，註冊佔比率達。
6.選擇註冊（石墨坩堝，群組號：1107）類別的商標有5件，註冊佔比率達。
7.選擇註冊（熔爐冷卻裝置，群組號：1107）類別的商標有5件，註冊佔比率達。
8.選擇註冊（熱交換器(非機器部件)，群組號：1107）類別的商標有4件，註冊佔比率達。
9.選擇註冊（熔爐成形部件，群組號：1107）類別的商標有4件，註冊佔比率達。
10.選擇註冊（藍寶石退火爐，群組號：1107）類別的商標有1件，註冊佔比率達。
多晶矽鑄錠爐的組成由哪幾個部分組成
12樓：殺手
1、爐體部分：主要是爐腔，加熱器、隔熱籠、導熱塊、隔熱板和保溫材料等2、軟體控制部分：主要是用來執行工藝配方。
3、氣體**部分：主要是用來**氬氣，和排放爐腔內廢氣的，4、電源控制部分：用來提供電流和電壓的。
13樓：網友
我多晶鑄錠長晶測試用石英棒的，呵呵，多謝樓上和提問者，也學習了！
多晶矽鑄錠爐執行中會產生諧波嗎
14樓：網友
對於直流供電的裝置，在進行交流轉變成直流的過程中會使用到整流裝置，而整流裝置在工作過程中會產生大量的諧波注入到電網。當使用6脈衝整流時會在系統中產生次諧波，所以多晶矽鑄錠爐使用了整流裝置，其在執行過程中必然會產生諧波，只是諧波量的大小就需要根據爐子的容量來判定了。判定方式就是以爐子額定電流除以諧波階次，比如5次諧波，就除以5得出的數值就是該裝置執行時產生5次諧波值的大小的估算值。
15樓：三象定盤
多晶矽鑄錠爐。
裝置特點1、採用雙層水冷結構，噪音小，環境溫度低2、採用行業主流電阻式加熱技術，加熱迅速，效率高，損耗低3、全中文操作環境，操作簡潔4、核心器件均採用全球知名產品，裝置技術可靠，故障率低5、在長晶階段，只有隔熱層上下移動，且運動平穩，保證了矽錠質量6、多重安全防護技術，設有矽液溢流檢驗，裝置全程自動報警，保證裝置及人身安全。
hg6001單晶爐。
直流電源：5柱變壓器，空載電流小，效率比3柱高10%--15%。雙反芯6脈波比橋式整流功耗小。
初級調壓功耗小、諧波也小。水冷迴圈噪音小，環境溫度低。控制器：
自動化程度高：除引晶、轉肩，其他十多個工藝步全部自動。plc控制：
抗干擾強，穩定可靠。觸膜屏控制：直觀、資訊量大、儲存歷史資料提拉頭：
結構緊湊。中心軟軸，不偏心。動平衡處理。
25轉內基本無擾動。共振點擺動小。
hg9001單晶爐。
直流電源：5柱變壓器，空載電流小，效率比3柱高10%--15%。雙反芯6脈波比橋式整流功耗小。
初級調壓功耗小、諧波也小。水冷迴圈噪音小，環境溫度低。控制器：
自動化程度高：除引晶、轉肩，其他十多個工藝步全部自動。plc控制：
抗干擾強，穩定可靠。觸膜屏控制：直觀、資訊量大、儲存歷史資料提拉頭：
結構緊湊。中心軟軸，不偏心。動平衡處理。
25轉內基本無擾動。共振點擺動小。
hg1201單晶爐。
直流電源：5柱變壓器，空載電流小，效率比3柱高10%--15%。雙反芯6脈波比橋式整流功耗小。
初級調壓功耗小、諧波也小。水冷迴圈噪音小，環境溫度低。控制器：
自動化程度高：除引晶、轉肩，其他十多個工藝步全部自動。plc控制：
抗干擾強，穩定可靠。觸膜屏控制：直觀、資訊量大、儲存歷史資料提拉頭：
結構緊湊。中心軟軸，不偏心。動平衡處理。
25轉內基本無擾動。共振點擺動小。
hg1501單晶爐。
直流電源：5柱變壓器，空載電流小，效率比3柱高10%--15%。雙反芯6脈波比橋式整流功耗小。
初級調壓功耗小、諧波也小。水冷迴圈噪音小，環境溫度低。控制器自動化程度高：
除引晶、轉肩，其他十多個工藝步全部自動。plc控制：抗干擾強，穩定可靠。
觸膜屏控制：直觀、資訊量大、儲存歷史資料提拉頭：結構緊湊。
中心軟軸，不偏心。動平衡處理。25轉內基本無擾動。
共振點擺動小。
什麼是多晶矽
景田不是百歲山 多晶矽，是單質矽的一種形態。熔融的單質矽在過冷條件下凝固時，矽原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶矽。利用價值 從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽 多晶矽 帶狀矽 薄膜材料 包括微晶矽基薄膜 化合物...
多晶矽太陽電池的原理是什麼？
矽太陽能電池發電原理 製作矽太陽能電池主要是以半導體材料為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能後發生光電轉換反應。當矽晶體中摻入其他的雜質，如硼在室溫下較穩定，可與氮 碳 矽作用，高溫下硼還與許多金屬和 金屬氧化物反應，形成 金屬硼化物。單晶矽太陽能電池原理 製作太陽能電池主要是以半導體材料。為基...
請問矽鐵和多晶矽之間有什麼關係
矽鐵是在純鐵中加入矽元素，以得到某些特殊性質，和在鐵中加c得到鋼是同一原理。多晶矽是單質矽的一種形態。熔融的單質矽在過冷條件下凝固時，矽原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶矽。所以，他們沒有什麼關係。多晶矽矽鐵。多晶矽是單質矽的一種形...